[发明专利]内存管理方法和系统有效
申请号: | 201210319287.5 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103677966B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 陈志列;廖宇晖 | 申请(专利权)人: | 研祥智能科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F9/46 | 分类号: | G06F9/46 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 内存管理 刷新频率 读取 预设 高温环境 加热电路 门限电压 监测 扩宽 | ||
本发明涉及一种内存管理方法和系统。所述内存管理方法包括以下步骤:监测内存所在环境的温度值;判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度,若是,则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。上述内存管理方法和系统,当监测温度值小于最低工作温度时,调节内存的刷新频率为与该温度值对应的刷新频率,可使得在内存中的数据未降到门限电压以下前,读取内存的数据,避免出现读取错误,在环境温度低于最低工作温度或高于最高工作温度时,不需在低温时设计额外的加热电路对内存进行升温,或在高温时对内存进行降温,也不需选取昂贵的内存适应低温和高温环境,降低了成本,且扩宽了内存的工作温度范围。
技术领域
本发明涉及计算机技术,特别是涉及一种内存管理方法和系统。
背景技术
内存是计算机系统架构中的重要组成部分,它实现数据的存储功能:存放原始数据、中间数据和运算结果等,也是高速执行单元与外部低速存储设备的缓冲单元。
按照读取方式,内存分为只读存储器(Read Only Memory,简称ROM)和随机存储器(Random Access Memory,简称RAM),由于RAM的高速存取、读写时间相等、且与地址无关等优势,内存一般均用RAM实现,RAM依赖电容器充放电原理存储数据,并通过一个n通道MOS的电晶体管(nMOS)对电容的开关控制来实现数据的读取,但是由于随着温度降低MOS漏电流增大,使电容上电量泄放更快,导致当需要读取数据时,电容上电量低于有效电压,使数据读取错误。
目前,为了在低温的环境中使用内存,主要采用两种方式,第一种是采用宽温度范围适应的内存芯片,例如有的厂商推出-40℃~+85℃工业级内存芯片,但该类产品型号少,工作频率低于常用频率,且价格昂贵;第二种采用外部辅助加热装置,对内存进行加热,当监测到环境文件上升至允许工作温度,再加电工作,该方式附加有繁琐的外围控制电路,且为了使温度能有效传递到内存,往往需要改变内存的结构,增加了成本。
发明内容
基于此,有必要提供一种内存管理方法,能使得内存在宽温度范围内正常工作,且成本较低。
一种内存管理方法,包括以下步骤:
监测内存所在环境的温度值;
判断所述温度值是否小于预设的最低工作温度或大于预设的最高工作温度,若是,则将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率。
在其中一个实施例中,所述将所述内存的刷新频率调节为与所述温度值相应的刷新频率的步骤包括:
根据所述温度值从预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率;
将所述内存的刷新频率调节为所述查找到的相应的刷新频率。
在其中一个实施例中,在所述监测内存所在环境的温度值的步骤之前,还包括步骤:
预先建立对应表以及温度与内存刷新频率之间的对应关系,并将所述温度与内存刷新频率之间的对应关系存储在所述对应表中;
根据所述温度值从预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率的步骤具体为:
根据所述温度值从所述对应表中存储的预设的温度与内存刷新频率之间的对应关系中查找到相应的刷新频率。
在其中一个实施例中,所述预先建立温度与内存刷新频率之间的对应关系的步骤包括:
选定温度;
在不同的刷新频率下多次测试内存的误码率,形成数据分布曲线;
根据所述统计的数据分布曲线和允许的最低误码率确定相应的刷新频率;
建立温度与相应的内存的刷新频率之间的对应关系。
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