[发明专利]故障安全的电流隔离阻障部

权利要求书

1.一种系统，包括：

发送器；

接收器；

隔离阻障部，所述隔离阻障部连接至所述发送器；以及

熔断器，所述熔断器连接在所述隔离阻障部和所述接收器之间，其中：

当所述隔离阻障部两端的电压小于第一击穿电压时，所述隔离阻障部阻止电流从所述发送器流至所述接收器，

当所述隔离阻障部两端的电压大于或等于所述第一击穿电压时，所述隔离阻障部短路，

当所述隔离阻障部短路时，所述熔断器断开，以及

当所述熔断器断开时，所述熔断器具有大于所述第一击穿电压的第二击穿电压。

2.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述熔断器包括导电材料，并且

当所述隔离阻障部短路时，所述导电材料氧化。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一击穿电压大于1千伏特(kV)。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述第二击穿电压至少是所述第一击穿电压的两倍。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述熔断器包括所述导电材料氧化之前的第一电阻和所述导电材料氧化之后的第二电阻，以及

其中所述第一电阻小于所述第二电阻。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一电阻在1欧姆和10千欧姆之间。

7.根据权利要求5所述的系统，其中所述第二电阻至少是所述第一电阻的两倍。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述熔断器包括薄膜电阻器。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述隔离阻障部包括电容性隔离阻障部。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述隔离阻障部包括电感性隔离阻障部。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述隔离阻障部包括巨磁阻(GMR)隔离阻障部。

12.根据权利要求1所述的系统，其中所述熔断器包括多晶硅。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述熔断器包括镍铬。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述熔断器包括铬硅。

15.根据权利要求1所述的系统，其中所述发送器实施在第一集成电路上，所述接收器实施在第二集成电路上，并且所述隔离阻障部和所述熔断器实施在第三集成电路上，并且

其中所述第一集成电路、第二集成电路以及第三集成电路是不同的。

16.根据权利要求1所述的系统，其中所述发送器、所述隔离阻障部以及所述熔断器实施在第一集成电路上，并且所述接收器实施在第二集成电路上，并且

其中所述第一集成电路和第二集成电路是不同的。

17.根据权利要求1所述的系统，其中所述发送器实施在第一集成电路上，并且所述隔离阻障部、所述熔断器以及所述接收器实施在第二集成电路上，并且

其中所述第一集成电路和第二集成电路是不同的。

18.根据权利要求1所述的系统，还包括：

电流传感器，所述电流传感器测量流经所述熔断器的电流；以及

阻障监控模块，所述阻障监控模块在所述电流近似为零时，指示所述熔断器断开。

19.根据权利要求18所述的系统，还包括指示灯，

其中所述阻障监控模块在所述电流近似为零时，点亮所述指示灯。

20.根据权利要求18所述的系统，其中所述阻障监控模块在所述电流近似为零时输出信号。