[发明专利]有机发光二极管面板及包括该发光二极管面板的电子装置无效
申请号: | 201210319667.9 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103681729A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李竣凯;吴芳奕;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 面板 包括 电子 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种电致发光半导体元件,且特别是涉及有机发光二极管面板及其电子装置。
背景技术
有机发光二极管面板因具有低功率、高反应速度、广视角与高演色性等优势,因此被作为多种电子装置的光源,其中电子装置例如为照明设备、显示装置或移动装置等。举例来说,有机发光二极管可以作为被动式、主动式有机发光显示器,又或者,作为植物工厂中的照明设备的照明光源。
有机发光二极管面板具有依序堆叠的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层与阴极,其中空穴传输层、发光层与电子传输为有机材料。当阳极与阴极之间的电压形成顺向偏压时,空穴传输层的空穴与电子传输层的电子会往发光层移动,并且结合,以产生具有多个特定波段的光线。
对于有机发光二极管而言,若要调整有机发光二极管的发射光线(出光面的光线)的颜色时,则可以设计有机发光二极管内的共振腔长度以及电极的反射、吸收与穿透特性来选择仅使特定波段的光线穿透出光面,以藉此调整发射光线的颜色。举例来说,有业者于有机发光二极管内设计多个不同厚度的微腔(micro cavity)以调整共振腔长度,来使白色光有机发光二极管可以同时产生红色、蓝色与绿色的发射光线。然而,此种作法的工艺较为复杂,且多个不同微腔的厚度不易控制。
另外,目前还有通过增设四分之一波长堆叠反射波镜(quarter wavelength stack,QWS)于有机发光二极管内来选择使特定波长的光线穿透出光面,以藉此调整发射光线的颜色。然而,四分之一波长堆叠反射波镜具有强烈的波长选择性,因此其仅能使特定波长的光线可通过,因此,此作法并不适合用于白色光有机发光二极管。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光二极管面板,所述有机发光二极管面板包括基板、阳极、复合发光层、阴极与至少一复合绝缘层。阳极位于基板的上面。复合发光层位于阳极的上面。阴极位于复合发光层的上面。复合绝缘层具有至少两层绝缘层,其中这些绝缘层具有不同折射系数,且位于阴极上面及介于基板与阳极间的至少之一。
本发明实施例提供一种电子装置,所述电子装置包括如前述的有机发光二极管面板、薄膜晶体管阵列与控制电路。薄膜晶体管阵列与有机发光二极管面板相对设置。控制电路与有机发光二极管面板及薄膜晶体管阵列电性连接。
综上所述,本发明实施例提供一种可以通过设计其复合绝缘层的反射率、穿透率与吸收率来调整发射光线的颜色的有机发光二极管面板。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明,而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。
附图说明
图1是本发明实施例的有机发光二极管面板的剖面结构示意图。
图2是本发明另一实施例的有机发光二极管面板的剖面结构示意图。
图3是本发明另一实施例的有机发光二极管面板的剖面结构示意图。
图4A是不同上发光型有机发光二极管的上层电极的反射率与波长的曲线图。
图4B是不同上发光型有机发光二极管的上层电极的吸收率与波长的曲线图。
图4C是不同上发光型有机发光二极管的发射光线的强度与波长的曲线图。
图5A是不同上发光型有机发光二极管的上层电极的反射率与波长的曲线图。
图5B是不同上发光型有机发光二极管的发射光线的强度与波长的曲线图。
【主要元件符号说明】
1~3:有机发光二极管面板
11、21、31:基板
12:反射阳极
22、32:透明阳极
13、23、33:复合发光层
131、231、331:空穴传输层
132、232、332:发光层
133、233、333:电子传输层
24:非透明阴极
14、34:半透明阴极
15、25、35、36:复合绝缘层
151、152、251、252、351、352、361、362:绝缘层
26:钝化保护层
C311~314、C321~C324、C331、C332、C411、C412、C421、C422:曲线
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的