[发明专利]高频内匹配功率器件的封装方法

权利要求书

1.一种高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，包括：

将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；

将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；

将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；

将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。

2.根据权利要求1所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，所述将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内包括：

将共晶仪的温度升至350-380的温度范围内，在氮气保护的氛围下，将用于构成内匹配电路的输入和输出内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内。

3.根据权利要求2所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于：

在将所述内匹配电路共晶在管壳内时，左右摩擦内匹配电路，从而保证内匹配电路与管壳紧密的粘贴在一起。

4.根据权利要求1所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，所述将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内包括：

将共晶仪的温度设定在250-280度的温度范围内，在氮气保护的氛围下，将用于构成输入输出匹配电容的第一输入匹配电容、第二输入匹配电容及输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；

将共晶仪的温度设定在250-280度的温度范围内，在氮气保护的氛围下，将功率器件通过金锡合金共晶在管壳内。

5.根据权利要求4所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于：

在将所述功率器件和输入输出匹配电容共晶在管壳内时，左右摩擦功率器件和输入输出匹配电容，从而保证功率器件和输入输出匹配电容与管壳紧密的粘贴在一起。

6.根据权利要求5所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于：

所述输入输出匹配电容采用芯片电容或陶瓷电容。

7.根据权利要求1所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，所述将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连包括：

采用金丝键合仪，将功率器件的输入输出电极和输入输出匹配电容通过金丝键合连接；

采用金丝键合仪，将输入输出匹配电容和内匹配电路通过金丝键合连接。

8.根据权利要求7所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于：

所述采用金丝键合仪键合连接时，同一位置处不同金丝的长度和角度一致。

9.根据权利要求8所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于：

所述金丝的直径为25um。

10.根据权利要求1所述的高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，所述将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连包括：

采用金带键合仪，将内匹配电路和管壳输入输出管角之间通过100um宽的金带进行键合连接。