[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210319796.8 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103682124A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平;生启 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,当发光层的发光材料与阴极比较接近的时候,发光材料会与阴极产生耦合,对激子造成了损失(表面等离子激元波),导致激子复合几率降低,从而降低了有机电致发光器件的发光效率。
发明内容
基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、散射层及阴极,所述散射层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的金属,所述主体材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种,所述金属选自银、铝、铂及金中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述散射层的厚度为2nm~30nm。
在其中一个实施例中,所述散射层中所述金属的质量百分含量为1%~20%。
在其中一个实施例中,所述阴极的材料选自银、铝、铂及金中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层;
在所述电子传输层表面蒸镀形成散射层,所述散射层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的金属,所述主体材料与所述金属分别在两个蒸发舟中进行蒸发,蒸镀在真空压力为2×10-3~2×10-5Pa下进行,所述主体材料蒸镀速率为0.05nm/s~0.5nm/s,所述金属蒸镀速率范围为1nm/s~5nm/s,所述主体材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种,所述金属选自银、铝、铂及金中的至少一种;及
在所述散射层表面形成阴极。
在其中一个实施例中,所述散射层的厚度为2nm~30nm。
在其中一个实施例中,所述散射层中所述金属的质量百分含量为1%~20%。
在其中一个实施例中,所述阴极的材料选自银、铝、铂及金中的至少一种。
上述有机电致发光器件及其制备方法,在电子传输层与阴极之间制备一层掺杂的散射层,利用金属进行掺杂,金属成膜性较好,蒸镀较易控制,通过加入金属,可以使散射层的膜层呈现连续的岛状结构,有利于光的散射;而散射层的主体材料结晶后,可形成有序的晶体结构,会对光有强烈的散射作用,使光线重新分布,避免了发光层的发光材料与阴极的自由电子产生耦合,降低了产生表面等离子激元波的几率,从而能提高发光效率;同时在散射层掺杂金属,可以对主体材料的结晶程度进行调节,避免整个散射层全部结晶。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、散射层60及阴极70。
阳极10为铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟的氧化锡玻璃(FTO),掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO),优选为ITO。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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