[发明专利]面结型场效应管

权利要求书

1.一种面结型场效应管，其特征在于：包含一个面结型场效应管和一个集成在面结型场效应管中的LDMOS：

在P型硅衬底上具有N型注入区，水平方向上，N型注入区划分为源区漂移区、沟道区和漏区漂移区；

所述面结型场效应管的漏区，是漏区漂移区的一侧的第一重掺杂N型区，第一重掺杂N型区上具有填充金属的接触孔与第一重掺杂N型区相连，将面结型场效应管的漏区引出，且第一重掺杂N型区同时也作为集成的LDMOS的漏区；

所述面结型场效应管的源区，是源区漂移区中第二重掺杂N型区，所述源区漂移区位于漏区漂移区相对一侧的N型注入区中，第二重掺杂N型区上具有填充有金属的接触孔与第二重掺杂N型区连接，将面结型场效应管的源区引出；

所述面结型场效应管的栅极，为重掺杂P型区，位于沟道区上方的P型注入区中，所述沟道区位于源区漂移区与漏区漂移区之间，沟道区上方的P型注入区中具有相互抵靠接触的重掺杂P型区和第三重掺杂N型区，所述重掺杂P型区上具有填充金属的接触孔与之连接引出，形成面结型场效应管的栅极，所述第三重掺杂N型区上具有填充金属的接触孔与之接触引出，重掺杂P型区与第二重掺杂N型区之间的硅表面具有源区场氧隔离，所述LDMOS的源区由重掺杂P型区和第三重掺杂N型区共同构成，所述P型注入区作为LDMOS的沟道区；

所述第一重掺杂N型区与第三重掺杂N型区之间的硅表面具有漏区场氧隔离及一段氧化膜，漏区场氧下方的N型注入区中有一层P型掺杂区；

所述氧化膜是靠近第三重掺杂N型区，氧化膜上及靠近氧化膜的漏区场氧上覆盖一层多晶硅，多晶硅上具有填充金属的接触孔将多晶硅引出，形成所述LDMOS的栅极；

漏区场氧靠近第一重掺杂N型区的区域上覆盖一段多晶硅形成漏区场板，并通过填充金属的接触孔引出；

整个器件表面淀积层间介质，所述的接触孔全部穿通层间介质将各区域引出；

在层间介质表面淀积有金属分别形成整个器件的各个电极，其中重掺杂P型区、第三重掺杂N型区以及靠近第三重掺杂N型区的多晶硅通过接触孔连接同一块金属，第一重掺杂N型区的接触孔与漏区场板的接触孔连接到另一块金属。

2.如权利要求1所述的面结型场效应管，其特征在于：所述的P型注入区是一次注入形成，或者是多次注入形成，以形成不同夹断电压的面结型场效应管。

3.如权利要求1所述的面结型场效应管，其特征在于：在俯视平面上，集成有LDMOS的面结型场效应管的漏区和栅极是圆形结构。

4.如权利要求3所述的面结型场效应管，其特征在于：所述圆形结构是漏区在内侧，栅极在外侧。

5.如权利要求4所述的面结型场效应管，其特征在于：所述圆形结构的外侧的栅极延伸有矩形的N型注入区，形成面结型场效应管的源区。

6.如权利要求1所述的面结型场效应管，其特征在于：改变所述各注入区为相反离子注入类型，即形成P型面结型场效应管。