[发明专利]一种制备低应力GaN薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210320301.3 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102856172A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 修向前;华雪梅;张士英;林增钦;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 应力 gan 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备低应力GaN薄膜的方法，其特征是通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。
2.根据权利要求1所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征是所述的纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底放在HVPE生长系统中进行横向外延生长，得到低应力GaN薄膜。
3.根据权利要求1所述的制备低应力GaN薄膜的方法，其特征是紫外光子的能量应大于3.4eV，对应GaN的禁带宽度，相对应紫外波长小于365nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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