[发明专利]可逆热敏记录介质有效
申请号: | 201210320310.2 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN102975508A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 立胁忠文 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | B41M5/41 | 分类号: | B41M5/41;B41M5/42 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可逆 热敏 记录 介质 | ||
1.可逆热敏记录介质,其包含:
基底;和
置于所述基底上的可逆热敏记录层,
其中所述基底包括第一载体、电子信息记录模块、覆盖所述第一载体的粘合剂和通过进行激光标记在其表面中形成凹槽作为激光标记的第二载体,并且
其中最大深度A与所述可逆热敏记录介质的总厚度的比率是20%或更小,其中所述最大深度A是关于所述可逆热敏记录介质的厚度方向从所述第二载体的表面至所述激光标记的凹槽的底部的长度。
2.根据权利要求1所述的可逆热敏记录介质,其中所述激光标记通过在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下进行激光标记形成。
3.根据权利要求1所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录层包含给电子成色化合物和受电子化合物。
4.根据权利要求1所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录介质是卡或片的形状。
5.可逆热敏记录介质,其包含:
基底;和
置于所述基底上的可逆热敏记录层,
其中所述基底包括第一载体、电子信息记录模块、覆盖所述第一载体的粘合剂和通过进行激光标记在其表面中形成凹槽和沿着所述凹槽的边界的突起作为激光标记的第二载体,以及
其中最大深度B与所述可逆热敏记录介质的总厚度的比率是23%或更小,其中所述最大深度B是最大深度A和最大深度C的总和,所述最大深度A是关于所述可逆热敏记录介质的厚度方向从所述第二载体的表面至所述激光标记的凹槽的底部的长度,并且所述最大深度C是关于所述可逆热敏记录介质的厚度方向从所述第二载体的表面至所述激光标记的突起的顶点的长度。
6.根据权利要求5所述的可逆热敏记录介质,其中所述激光标记通过在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下进行激光标记形成。
7.根据权利要求5所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录层包含给电子成色化合物和受电子化合物。
8.根据权利要求5所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录介质是卡或片的形状。
9.可逆热敏记录介质,其包含:
基底;和
置于所述基底上的可逆热敏记录层,
其中所述基底包括第一载体、电子信息记录模块、覆盖所述第一载体的粘合剂和通过进行激光标记在其表面中形成凹槽和沿着所述凹槽的边界的突起作为激光标记的第二载体,并且
其中最大深度A与所述可逆热敏记录介质的总厚度的比率是20%或更小,并且最大深度B与所述可逆热敏记录介质的总厚度的比率是23%或更小,其中所述最大深度A是关于所述可逆热敏记录介质的厚度方向从所述第二载体的表面至所述激光标记的凹槽的底部的长度,并且所述最大深度B是所述最大深度A和最大深度C的总和,其中所述最大深度C是关于所述可逆热敏记录介质的厚度方向从所述第二载体的表面至所述激光标记的突起的顶点的长度。
10.根据权利要求9所述的可逆热敏记录介质,其中所述激光标记通过在0.0142W/(mm/s)或更低的能量密度下进行激光标记形成。
11.根据权利要求9所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录层包含给电子成色化合物和受电子化合物。
12.根据权利要求9所述的可逆热敏记录介质,其中所述可逆热敏记录介质是卡或片的形状。
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