[发明专利]多晶硅还原生产装置及方法

权利要求书

1.一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原生产方法，其特征在于，所述分离出四氯化硅的一级尾气与第二路高纯三氯氢硅气体混合均匀后送至第二还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的二级尾气，通过冷凝分离出二级尾气中的四氯化硅。

3.根据权利要求2所述的多晶硅还原生产方法，其特征在于，分离出四氯化硅的二级尾气与第三路高纯三氯氢硅气体混合均匀后作为多晶硅生产的还原气体原料送入第三还原炉。

4.根据权利要求2所述的多晶硅还原生产方法，其特征在于，分离出四氯化硅的二级尾气冷凝分离为三氯氢硅液体和氢气、氯化氢气体，其中，三氯化氢作为多晶硅生产的还原气体原料送入其他的还原炉。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原生产方法，其特征在于，将氢气和氯化氢分离，并将分离后的氢气存储起来或直接作为多晶硅生产的还原气体原料。

6.一种多晶硅还原生产装置，包括：

氢气储罐；

三氯氢硅储罐；

与三氯氢硅储罐连接的第一汽化器和第二汽化器；

分别与氢气储罐和第一汽化器连接的第一混合器；

与第一混合器连接的第一还原炉；

与第一还原炉连接的第一冷凝器；

与第二汽化器和第一冷凝器连接的第二混合器；

与第二混合器连接的第二还原炉；

与第二还原炉连接的第二冷凝器；以及

与第一冷凝器和第二冷凝器连接的四氯化硅储罐。

7.根据权利要求6所述的多晶硅还原生产装置，其特征在于，还包括：

与三氯氢硅储罐连接的第三汽化器；

与第三汽化器和第二冷凝器连接的第三混合器；

与第三混合器连接的第三还原炉；以及

与第三还原炉和四氯化硅储罐连接的第三冷凝器。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原生产装置，其特征在于，还包括：

与第三冷凝器连接的二级冷凝器；以及

与二级冷凝器连接的分离系统，

其中，二级冷凝器还与第一汽化器和/或第二汽化器和/或第三汽化器连接，分离系统还与氢气储罐连接。

9.根据权利要求8所述的多晶硅还原生产装置，其特征在于，所述分离系统内设置有氢气压缩机。