[发明专利]碱金属硅酸盐、包含过渡金属的碱金属硅酸盐及硅酸盐的合成方法在审
| 申请号： | 201210320609.8 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102963897A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 元吉真子;川上贵洋;山梶正树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32;H01M4/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;李进 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碱金属 硅酸盐 包含 过渡 金属 合成 方法 | ||
1. 一种硅酸盐的合成方法，包括如下步骤：
通过将包含碱金属硅酸盐的碱性溶液添加于所述碱金属硅酸盐的不良溶剂中，来析出所述碱金属硅酸盐。
2. 根据权利要求1所述的硅酸盐的合成方法，还包括如下步骤：
回收所述析出了的碱金属硅酸盐；以及
对所述回收后的碱金属硅酸盐进行加热处理。
3. 根据权利要求1所述的硅酸盐的合成方法，其中将硅溶解于其pH为9以上的包含碱金属盐的碱性溶液中，来形成所述包含碱金属硅酸盐的碱性溶液。
4. 根据权利要求3所述的硅酸盐的合成方法，其中所述包含碱金属盐的碱性溶液的温度保持为50℃以上且70℃以下。
5. 根据权利要求3所述的硅酸盐的合成方法，
其中，所述包含碱金属盐的碱性溶液为碱金属氢氧化物水溶液。
6. 根据权利要求1所述的硅酸盐的合成方法，
其中所述不良溶剂是乙醇。
7. 根据权利要求1所述的硅酸盐的合成方法，
其中所述碱金属是锂。
8. 根据权利要求1所述的硅酸盐的合成方法，还包括如下步骤：
混合所述析出了的碱金属硅酸盐与微粒子化了的包含过渡金属的化合物，以制造混合物；以及
对所述混合物进行加热处理，来生成包含过渡金属的碱金属硅酸盐。
9. 根据权利要求2所述的硅酸盐的合成方法，还包括如下步骤：
混合所述加热处理后的碱金属硅酸盐与微粒子化了的包含过渡金属的化合物，以制造混合物；以及
对所述混合物进行第二加热处理，来生成包含过渡金属的碱金属硅酸盐。
10. 根据权利要求8所述的硅酸盐的合成方法，其中所述过渡金属是锰。
11. 根据权利要求8所述的硅酸盐的合成方法，其中所述包含过渡金属的微粒子化了的化合物是碳酸盐。
12. 根据权利要求9所述的硅酸盐的合成方法，其中所述过渡金属是锰。
13. 根据权利要求9所述的硅酸盐的合成方法，其中所述包含过渡金属的微粒子化了的化合物是碳酸盐。
14. 根据权利要求8所述的硅酸盐的合成方法，其中对所述混合物进行的所述加热处理在700℃以上且1000℃以下的惰性气体气氛下进行。
15. 根据权利要求9所述的硅酸盐的合成方法，其中对所述混合物进行的所述第二加热处理在700℃以上且1000℃以下的惰性气体气氛下进行。
16. 根据权利要求8所述的硅酸盐的合成方法，其中所述生成的包含过渡金属的碱金属硅酸盐的用气体吸附法测出的比表面积为50m2/g以上且150m2/g以下。
17. 一种碱金属硅酸盐，其中用气体吸附法测出的比表面积为50m2/g以上且90m2/g以下。
18. 根据权利要求17所述的碱金属硅酸盐，其中用X射线光电子光谱法定量的碳原子为10at.%以下且用X射线光电子光谱法定量的钠原子为1at.%以下。
19. 一种包含过渡金属的碱金属硅酸盐，其中用气体吸附法测出的比表面积为50m2/g以上且150m2/g以下。
20. 一种蓄电装置，包括根据权利要求19所述的包含过渡金属的碱金属硅酸盐。
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