[发明专利]半导体器件、温度传感器和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基底；

所述半导体基底上的非晶半绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层具有电阻，所述电阻具有负温度系数。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层具有关于-40°C和250°C之间的温度范围内的温度基本线性变化的电阻。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层具有约0.8eV至约3eV的光学带隙。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层具有约0.3eV至1.0eV范围内的势垒高度φ。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成于所述半导体基底中的掺杂区，其中，所述非晶半绝缘层与所述掺杂区欧姆接触；以及

与所述非晶半绝缘层欧姆接触的金属，其中，所述非晶半绝缘层提供了所述金属和所述掺杂区之间的电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述掺杂区具有至少1·10¹⁵/cm³的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层是类金刚石碳层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

有源区和所述有源区周围的外围区;

形成于所述外围区中的边缘钝化，其中，所述非晶半绝缘层形成于所述外围区中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述边缘钝化包括由类金刚石碳构成的层；并且

所述非晶半绝缘层由类金刚石碳构成。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述非晶半绝缘层与所述边缘钝化隔开。

12.一种温度传感器，包括非晶半绝缘层。

13.根据权利要求12所述的温度传感器，其中，所述非晶半绝缘层由类金刚石碳构成。

14.根据权利要求12所述的温度传感器，还包括：

半导体基底，包括第一表面和配置在所述第一表面的第一掺杂区，所述非晶半绝缘层配置在所述第一掺杂区上并与其欧姆接触；以及

第一金属，位于所述非晶半绝缘层上并与其欧姆接触。

15.根据权利要求14所述的温度传感器，其中，所述第一掺杂区具有至少1·10¹⁵/cm³的掺杂浓度。

16.根据权利要求14所述的温度传感器，还包括位于所述第一掺杂区上并与其欧姆接触的第二金属，所述第一金属和所述第二金属彼此隔开。

17.根据权利要求14所述的温度传感器，还包括位于所述半导体基底的第二表面上并与其电连接的第二金属。

18.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体基底；以及

在所述半导体基底上形成非晶半绝缘层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述非晶半绝缘层沉积在所述半导体基底上。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述非晶半绝缘层通过等离子体沉积、利用在约-100V至约-1000V的范围内的DC偏压而沉积在所述半导体基底上。

21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述非晶半绝缘层通过等离子体沉积、利用在约50W至约1200W的范围内的RF功率而沉积在所述半导体基底上。

22.根据权利要求18所述的方法，还包括对所述非晶半绝缘层退火。

23.根据权利要求18所述的方法，还包括：

在所述半导体基底中形成第一掺杂区；

在所述第一掺杂区的一部分上形成所述非晶半绝缘层；

形成位于所述非晶半绝缘层上并与其欧姆接触的第一金属；以及

形成位于所述第一掺杂区上并与其欧姆接触的第二金属。

24.根据权利要求18所述的方法，还包括：

在所述半导体基底的第一表面形成第一掺杂区；

在所述第一掺杂区上形成所述非晶半绝缘层；

形成位于所述非晶半绝缘层上并与其欧姆接触的第一金属；

在所述非晶半绝缘层的第二表面形成第二掺杂区；以及

形成位于所述第二掺杂区上并与其欧姆接触的第二金属。