[发明专利]用于启动模拟电路的系统和方法

权利要求书

1.一种启动电路，包括：

输出节点，其处于输出电压（VOUT）；

比较器，其包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端被配置为被耦合到参考电压（VREF）；

反馈回路，其将所述输出节点耦合到所述第二输入端；以及

增压电路，其被耦合在所述输出端和所述输出节点之间，并且被配置为被耦合到供电电压（VPWR），所述增压电路被配置为增加VOUT，其中：

所述比较器被配置为比较VOUT和VREF，并且

所述增压电路基于对VOUT和VREF的所述比较被启用和停用。

2.根据权利要求1所述的启动电路，其中所述增压电路包括：

第一p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）；

第二pMOSFET，其耦合到所述第一pMOSFET；以及

第一n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）。

3.根据权利要求2所述的启动电路，还包括被耦合在所述比较器和所述增压电路之间的控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于从所述比较器接收的信号启用和停用所述增压电路。

4.根据权利要求3所述的启动电路，其中所述比较器被配置为当VOUT在VREF的预定电压内时跳变，所述信号指示VOUT是否在VREF的所述预定电压内。

5.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述预定电压是在VREF的约5mV至约50mV范围内的迟滞电压。

6.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述预定电压在VREF的5mV内。

7.根据权利要求3所述的负载驱动电路，其中：

所述第一pMOSFET包括第一栅极、第一源极和第一漏极；

所述第二pMOSFET包括第二栅极、第二源极和第二漏极；

所述第一nMOSFET包括第三栅极、第三源极和第三漏极；

所述第一栅极被耦合到所述控制逻辑，所述第一源极被耦合到VPWR，并且所述第一漏极被耦合到所述第二源极；

所述第二栅极被耦合到VGND并且所述第二漏极被耦合到所述第三漏极；并且

所述第三栅极被耦合到VREF并且所述第三源极被耦合到VOUT。

8.根据权利要求1所述的启动电路，还包括运算放大器，所述运算放大器包括耦合到VREF的第三输入端、耦合到所述反馈回路的第四输入端、以及耦合到所述增压电路的第三输出端的第二输出端。

9.根据权利要求8所述的启动电路，还包括被耦合到所述输出节点和与所述第二输出端和所述第三输出端耦合的节点之间的n-跟随器设备。

10.根据权利要求9所述的启动电路，其中所述n-跟随器设备包括n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET），所述nMOSFET包括：

栅极，其耦合到所述节点；

漏极，其耦合到VPWR；

源极，其耦合到所述输出节点；以及

主体，其耦合到所述输出节点。

11.一种系统，包括：

参考电压（VREF）；

模拟设备；以及

启动电路，其耦合到所述模拟设备并且耦合到VREF，所述启动电路包括：

输出电压（VOUT），

启动部分，以及

驱动器部分，其中所述启动电路被配置为：

当VOUT小于VREF的预定电压时启用所述启动部分以启动所述驱动器部分，

当VOUT在VREF的所述预定电压内时停用所述启动部分，以及

在停用所述启动部分之后启用所述驱动器部分以驱动所述模拟设备。

12.根据权利要求11所述的系统，还包括供电电压（VPWR），其中所述启动部分包括：

比较器，其包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端耦合到VREF；

反馈回路，其将所述输出节点耦合到所述第二输入端；以及

增压电路，其被耦合在所述输出端和所述输出节点之间并且被耦合到VPWR，所述增压电路被配置为增加VOUT，其中：

所述比较器被配置为比较VOUT和VREF，并且

所述增压电路基于VOUT和VREF的所述比较被启用和停用。