[发明专利]化学气相沉积装置及化学气相沉积方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积系统，其特征在于，包括：

一供气装置；

一或多个第一进气口，位于该供气装置上；

一或多个第二进气口，位于该供气装置上；

一第一管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部于使用期间提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部以一第一流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或以一第二流量提供该至少一气体至该第二进气口；以及

一第二管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部于使用期间将提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部以至少一第三流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，包括：

一载盘，绕一载盘轴旋转；

一或多个承载器，位于该载盘上，该承载器绕载盘轴及各自对应的承载器轴旋转；

该供气装置包括一中央元件及一平面元件；及

一或多个第三进气口，位于该供气装置的中央元件上，其中该第三进气口以一大致平行于该平面元件的表面的方向提供一或多个气体；

其中，该一或多个第二进气口位于该供气装置上，该一或多个第二进气口与该载盘轴的距离大于该一或多个第一进气口与该载盘轴的距离。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该一或多个第一进气口及/或该一或多个第二进气口位于该供气装置的该平面元件上，或位于该供气装置的该中央元件上。

4.根据权利要求2所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该第一进气口及/或该第二进气口以一大致平行于该平面元件的表面的方向、一大致垂直于该平面元件的表面的方向、一夹角于该平面元件的表面的方向或上述任何组合的方向提供该至少一气体。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该第一管路分支部与该第二管路分支部两者中至少一者包括一流入管线及一排放管线，该流入管线提供该至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，该排放管线提供该至少一气体至一废气出口，其中该管路分支部包括一或多个阀门，该管路分支部于使用期间，该一或多个阀门用以切换在该流入管线及该排放管线间的至少一该气体的流向。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，该第一管路分支部包括至少一用以控制该至少一气体的该第一流量的流量控制器及至少一用以控制该至少一气体的该第二流量的流量控制器，该第二管路分支部包括至少一用以控制该至少一气体的该第三流量的流量控制器。

7.一种化学气相沉积方法，其特征在于，包括：

提供一用以形成一或多层材料层在一或多个基板上的系统，该系统包括一供气装置、一或多个第一进气口及一或多个第二进气口，该第一进气口及该第二进气口位于该供气装置上；

提供至少一气体，该至少一气体以一第一流量从一第一管路分支部流向该第一进气口及/或以一第二流量从一第一管路分支部流向该第二进气口；及

提供至少一附加气体，该附加气体以至少一第三流量从一第二管路分支部流向该第一进气口及/或该第二进气口。

8.一种化学气相沉积系统，该系统用以形成一或多层材料层在一或多个基板上，其特征在于，包括：

一供气装置；

一或多个第一进气口，位于该供气装置上；

一或多个第二进气口，位于该供气装置上；及

一或多个管路分支部，连接该第一进气口及该第二进气口；

其中，该一或多个管路分支部包含至少一个第一流量计以控制提供一或多个气体，该一或多个气体以一第一流量流向该第一进气口及以一第二流量流向该第二进气口；

其中，该第一流量通过该第一进气口以提供一凹形成长率分布形状，该第二流量通过该第二进气口以提供一凸形成长率分布形状，借此以对于该一或多层材料层成长在该一或多个基板上提供一大致均匀的成长率分布形状。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，一成长率分布形状包括对该材料的成长率分布，其为一系统位置函数。

10.一种化学气相沉积方法，用以在一反应腔中形成一或多层材料层在一或多个基板上，其特征在于，包括：

通过一或多个第一进气口，提供至少一气体至该反应腔中；

通过一或多个第二进气口，提供至少一气体至该反应腔中；

控制流向该一或多个第一进气口的该至少一气体的流量，以便于通过该一或多个第一进气口的至少一气体提供一凹形成长率分布形状或是凸形成长率分布形状两者中之一者；及

控制流向该一或多个第二进气口的该至少一气体的流量，以便于通过该一或多个第二进气口的至少一气体提供一凹形成长率分布形状或是凸形成长率分布形状两者中之另一者；

上述凹形成长率分布形状及该凸形成长率分布形状的组合用以对于该一或多层材料层成长在该一或多个基板上提供一大致均匀的成长率分布形状。