[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210321805.7 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367405A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 有吉惠子;铃木拓马;河野洋志;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一半导体区，包含碳化硅；
第二半导体区，设置在所述第一半导体区上，所述第二半导体区包含第一导电类型的碳化硅；
第三半导体区，设置在所述第二半导体区上，所述第三半导体区包含第二导电类型的碳化硅；
第四半导体区，设置在所述第三半导体区上，所述第四半导体区包含第一导电类型的碳化硅；
控制电极，设置在沟槽中，所述沟槽形成在所述第四半导体区、所述第三半导体区和所述第二半导体区中；
浮动电极，设置在所述控制电极与所述沟槽的底表面之间；以及
绝缘膜，设置在所述沟槽与所述控制电极之间、所述沟槽与所述浮动电极之间以及所述控制电极与所述浮动电极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包括：
栅极绝缘膜，设置在所述沟槽的侧表面与所述控制电极之间；
底部绝缘膜，设置在所述沟槽的底表面与所述浮动电极之间；
中间绝缘膜，设置在所述控制电极与所述浮动电极之间；以及
侧部绝缘膜，设置在所述沟槽的所述侧表面与所述浮动电极之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述中间绝缘膜的膜厚大于所述栅极绝缘膜的膜厚。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述底部绝缘膜的膜厚大于所述栅极绝缘膜的膜厚。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述侧部绝缘膜的膜厚等于所述栅极绝缘膜的膜厚。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述控制电极和所述浮动电极包含多晶硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包含氧化硅。
8.一种半导体装置，包括：
第一半导体区，包含碳化硅；
第二半导体区，设置在所述第一半导体区上，所述第二半导体区包含第一导电类型的碳化硅；
第三半导体区，设置在所述第二半导体区上，所述第三半导体区包含第二导电类型的碳化硅；
第四半导体区，设置在所述第三半导体区上，所述第四半导体区包含第一导电类型的碳化硅；
控制电极，设置在沟槽中，所述沟槽形成在所述第四半导体区、所述第三半导体区和所述第二半导体区中；
带电部，设置在所述控制电极与所述沟槽的底表面之间；以及
绝缘膜，设置在所述沟槽与所述控制电极之间、所述沟槽与所述带电部之间以及所述控制电极与所述带电部之间。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述带电部是浮动电极。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述带电部包括硅点。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述带电部包含所述绝缘膜的晶体缺陷。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包括：
栅极绝缘膜，设置在所述沟槽的侧表面与所述控制电极之间；
底部绝缘膜，设置在所述沟槽的底表面与所述浮动电极之间；
中间绝缘膜，设置在所述控制电极与所述浮动电极之间；以及侧部绝缘膜，设置在所述沟槽的所述侧表面与所述浮动电极之间。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述中间绝缘膜的膜厚大于所述栅极绝缘膜的膜厚。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述底部绝缘膜的膜厚大于所述栅极绝缘膜的膜厚。
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