[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法

权利要求书

1.一种用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，包括：

1)将单晶籽晶紧密并均匀地铺设于坩埚底部，且所述单晶籽晶在水平方向的晶向一致，并在上面添加足量硅料及根据目标电阻率相配合的合金，将装有以上硅料的坩埚装入多晶铸锭炉内；

2)将所述多晶铸锭炉抽真空，开始加热并监测炉内的温度，当加热到规定温度1175-1550℃之间时，向所述多晶铸锭炉充入氩气；

3)当传感器探测到籽晶熔化到规定深度时，按预置温度降温至长晶温度1420-1480℃之间；

4)按照预先设定的温度及隔热笼的开启程度来控制长晶速度，同时打开所述容器四周的绝热体，并通过所述容器四周的水冷系统对所述容器进行冷却，形成垂直于容器底部的温度梯度，直至类单晶硅锭长成；

5)降温至400℃以内，冷却结束后，硅锭出炉。

2.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤1)中添加的合金为硼或磷。

3.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤1)中共计装料800-1500kg，所铸硅锭可开方成7*7＝49块156mm长*156mm宽的子锭块。

4.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤1)中的目标电阻率一般控制在0.6-2.5Ω·cm。

5.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤1)中单晶为方单晶，且铺设时单晶在水平方向的晶向一致，铺设厚度为1-50mm均可。

6.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤4)中还包括向所述类单晶铸锭炉的顶端移动所述的隔热笼控制长晶速度。

7.如权利要求1所述的用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，所述步骤4)中控制硅料的长晶速度在0-45mm/h之间。

8.一种生长类单晶硅锭的多晶铸锭炉，其特征在于，所述的多晶铸锭炉的加热组件的厚度为5mm-30mm，热场空间设备可容纳坩埚，所装硅料重量800-1500kg。