[发明专利]封装基板的制法无效
申请号: | 201210322593.4 | 申请日: | 2012-09-04 |
公开(公告)号: | CN103632980A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 白裕呈;林俊贤;萧惟中;孙铭成;洪良易 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制法 | ||
1.一种封装基板的制法,其包括:
提供一承载件,该承载件结合两承载结构,该两承载结构各具有相对的第一侧与第二侧,且该两承载结构以其第二侧相结合;
形成单一层线路层于该两承载结构的第一侧上;以及
分离该两承载结构,以形成两具有该承载结构的封装基板。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该两承载结构的第二侧以粘着层粘结。
3.根据权利要求2所述的封装基板的制法,其特征在于,该执法还包括移除该粘着层,以分离出该两封装基板。
4.根据权利要求2所述的封装基板的制法,其特征在于,该两承载结构的分离以沿该第二侧的粘着层内侧进行切割的方式,令该两承载结构分开,以分离出该两封装基板。
5.根据权利要求2所述的封装基板的制法,其特征在于,该粘着层设置于该两承载结构的第二侧边缘的非布线区。
6.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该两承载结构的第二侧还具有支撑强化件。
7.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该执法还包括形成表面处理层于该线路层上。
8.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该承载结构还具有绝缘层、形成于该绝缘层上的介电层、形成于该介电层上的金属承载层、及形成于该金属承载层上的金属层,且令该金属层形成于该第一侧上。
9.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,各该第一侧上具有金属层,且形成该线路层的工艺包括:
形成阻层于该金属层上,且该阻层形成有多个开口以外露部分该金属层;
形成该线路层于该开口中的金属层上;以及
移除该阻层。
10.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,各该第一侧上具有金属层,以借蚀刻该金属层而形成该线路层。
11.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,各该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层,该两承载结构以其第二金属层相互结合。
12.根据权利要求11所述的封装基板的制法,其特征在于,该第一与第二金属层为铜箔。
13.根据权利要求11所述的封装基板的制法,其特征在于,该第二金属层以真空压合方式相互结合。
14.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该承载结构的第一侧与第二侧分别具有第一与第二金属层,供该两承载结构以其第二金属层相互结合,且形成该线路层的工艺包括:
形成预备金属层于该第一金属层上;
形成阻层于该预备金属层上,且该阻层形成有多个开口以外露部分该预备金属层;
移除该开口中的预备金属层,以令剩余的该预备金属层作为该线路层;以及
移除该阻层。
15.根据权利要求14所述的封装基板的制法,其特征在于,该预备金属层以压合方式形成于该第一金属层上。
16.根据权利要求1所述的封装基板的制法,其特征在于,该执法还包括形成防焊层于该承载结构的第一侧上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造