[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，具有绝缘衬底和形成在所述绝缘衬底的上方的薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括：

设有栅极电极的导电层；

栅极绝缘层，被设置在所述导电层的上方且包含绝缘物质；

氧化物半导体膜，与所述栅极绝缘层的上表面接触，并且被设置在所述栅极电极的上方；

源极电极，与位于所述氧化物半导体膜的上表面的第一区域接触；

漏极电极，与位于所述氧化物半导体膜的上表面、且同所述第一区域分离的第二区域接触；及

沟道保护膜，与所述氧化物半导体的上表面的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域接触且包含所述绝缘物质，

俯视观察时，所述氧化物半导体膜与所述栅极电极重叠的重叠部分是所述氧化物半导体膜与所述沟道保护膜重叠的重叠部分的一部分，

所述氧化物半导体膜中的除了与所述栅极电极重叠的重叠部分中的一部分以外的部分的电阻比与所述栅极电极重叠的重叠部分中的所述一部分的电阻低。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述绝缘物质是硅氧化物。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述氧化物半导体膜俯视观察时在与所述栅极电极重叠的部分和与所述第一区域重叠的部分之间具有与所述第三区域重叠的部分，

所述氧化物半导体膜俯视观察时在与所述栅极电极重叠的部分和与所述第二区域重叠的部分之间具有与所述第三区域重叠的部分。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三区域与所述第一区域和所述第二区域接触。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述半导体膜中的除了与所述栅极电极重叠的部分的一部分以外的部分的含氧量比与所述栅极电极重叠的部分的所述一部分低。

6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

在绝缘衬底上形成设有栅极电极的导电层的工序；

在所述导电层的上方形成包含绝缘物质的栅极绝缘层的工序；

在所述栅极绝缘层的上方形成氧化物半导体层的工序；

将所述氧化物半导体层中的除了在俯视下与所述栅极电极重叠的重叠部分中的一部分以外的部分的氧除去的脱氧工序；

以保留位于所述栅极电极的上方的所述氧化物半导体膜的方式蚀刻所述氧化物半导体层的工序；

形成包含所述绝缘物质的沟道保护层的工序；

以保留沟道保护膜的方式蚀刻所述沟道保护层的工序，所述沟道保护膜与俯视观察时所述氧化物半导体膜的上表面中的包含与所述栅极电极重叠的区域、并且与比该区域大的区域接触；

形成源极电极和漏极电极的电极形成工序，所述源极电极与所述氧化物半导体膜的上表面中的与所述沟道保护膜接触的区域不同的第一区域接触，所述漏极电极与第二区域接触，所述第二区域是所述氧化物半导体膜的上表面中的与所述沟道保护膜所接触的区域和所述第一区域不同的区域，

在所述电极形成工序中，以在所述第一区域和所述第二区域之间存在与所述沟道保护膜接触的区域的方式形成所述源极电极及所述漏极电极。