[发明专利]提高闪存芯片存储单元利用率的方法、装置和系统

权利要求书

1.一种提高闪存芯片存储单元利用率的方法，其特征在于包括步骤：

对所收到的用户数据进行无损压缩操作；

实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程／擦除”次数；

实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数；

根据所记录的每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面；

根据数据无损压缩结果选择相应的纠错码编码方式。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于进一步包括，若接收的用户数据具有无损可压缩性，计算一无损数据压缩率并则将无损压缩过的用户数据存入闪存芯片内，否则将原始用户数据本身存入闪存芯片内，进行正常的纠错码编码，进而选择一正常页面进行数据写入。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据实时得到的无损数据压缩率选择相应的纠错码编码方式以充分地利用无损数据压缩所带来的编码冗余量的增加。

4.一种固态存储系统控制器，其特征在于包括：

数据无损压缩模块，用于对所收到的用户数据进行无损压缩操作以减小其数据量；

存储单元块“编程／擦除”次数记录模块，用于实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程／擦除”次数；

闪存页面缺陷信息存储单元个数跟踪模块，用于实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数；

闪存页面选择模块，用于决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面；

纠错码编码选择模块，用于选择纠错码编码方式。

5.根据权利要求4所述的固态存储系统控制器，其特征在于进一步包括，若接收的用户数据具有无损可压缩性，所述固态数据存储系统控制器计算一无损数据压缩率并则将无损压缩过的用户数据存入闪存芯片内，否则将原始用户数据本身存入闪存芯片内，进行正常的纠错码编码，进而选择一正常页面进行数据写入。

6.根据权利要求5所述的固态存储系统控制器，其特征在于，根据实时得到的无损数据压缩率，所述纠错码编码选择模块来选择相应的纠错码编码方式以充分地利用无损数据压缩所带来的编码冗余量的增加。

7.一种固态存储系统，包括一固态存储系统控制器以及多个闪存芯片，其特征在于所述固态存储系统控制器包括：

数据无损压缩模块，用于对所收到的用户数据进行无损压缩操作以减小其数据量；

存储单元块“编程／擦除”次数记录模块，用于实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程／擦除”次数；

闪存页面缺陷信息存储单元个数跟踪模块，用于实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数；

闪存页面选择模块，用于根据每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面；

纠错码编码选择模块，用于根据数据无损压缩结果选择纠错码编码方式。

8.根据权利要求7所述的固态存储系统，其特征在于进一步包括，若接收的用户数据具有无损可压缩性，所述固态数据存储系统控制器计算一无损数据压缩率并则将无损压缩过的用户数据存入闪存芯片内，否则将原始用户数据本身存入闪存芯片内，进行正常的纠错码编码，进而选择一正常页面进行数据写入。

9.根据权利要求8所述的固态存储系统，其特征在于进一步包括，根据实时得到的无损数据压缩率，所述纠错码编码选择模块来选择相应的纠错码编码方式以充分地利用无损数据压缩所带来的编码冗余量的增加。