[发明专利]一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法

权利要求书

1.一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10 ~ 60 min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO₃的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4 ~ 5 mol，每升混合溶液中含有的AgNO₃为0.01 ~ 0.05 mol。

2.如权利要求1所述的一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，其特征在于：所

述的硅表面清洗的步骤为：将硅片依次经过丙酮超声振荡清洗，酒精超声振荡清洗，然后放入一号溶液中煮沸30 ~ 60 min，用去离子水冲洗硅片表面，用高纯氮气吹干，所述一号溶液为浓H₂SO₄和H₂O₂按照体积比3:1组成的混合溶液。

3.如权利要求1所述的一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，其特征在于：所述氢钝化硅片表面的步骤为：将表面清洗后的硅片放入到质量百分浓度为5%的HF酸溶液中，室温下处理1 ~ 3 min。

4.如权利要求1所述的一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，其特征在于：所述的多余银纳米颗粒去除的步骤为：将制备好正方形硅纳米孔阵列的硅片放入四号溶液中在20 ~ 60℃水浴处理30 ~ 60 min，之后取出硅片，并用去离子水反复清洗硅片表面，然后氮气吹干；所述四号溶液为浓HNO₃和H₂O按照体积比1:1组成的混合溶液，所用浓HNO₃的质量百分浓度为65 ~ 68%。

5.如权利要求1所述的一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，其特征在于：所述硅片为单面或双面抛光的硅片，若制备单面正方形硅纳米孔阵列需要将单面抛光的硅片抛光面向上放置，若制备双面正方形硅纳米孔阵列需要将双面抛光的硅片在溶液中被垫起并固定。