[发明专利]像素结构及像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：

一主动元件，包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一漏极，该源极与该漏极在该栅极上方相隔一间距使该栅极具有至少一部分不重迭于该源极以及该漏极，该半导体信道层至少配置于该间距中；

一栅绝缘层，位于该栅极与该半导体通道层之间，且该源极以及该漏极位于该栅绝缘层与该半导体通道层之间；

一介电绝缘层，配置于该基板上，覆盖住该半导体通道层，其中该介电绝缘层的介电系数高于该栅绝缘层的介电系数；

一电容电极，配置于该介电绝缘层上，且该电容电极重迭于该漏极以使该电容电极、该漏极以及夹于两者间的该介电绝缘层构成一储存电容结构；

一保护层，配置于该介电绝缘层上并且该电容电极位于该保护层与该介电绝缘层中；以及

一像素电极，配置于该保护层上并连接于该主动元件的该漏极。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该介电绝缘层的介电系数由5至10。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该介电绝缘层的材质包括氧化铝或二氧化钛。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该介电绝缘层的膜厚由至

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该介电绝缘层具有暴露出该漏极的一第一接触开口而该保护层具有连通于该第一接触开口的一第二接触开口使得该像素电极通过彼此连通的该第一接触开口与该第二接触开口连接于该漏极。

6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体通道层的材质包括氧化物半导体材料。

7.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层以覆盖住该栅极；

于该栅绝缘层上形成一源极以及一漏极，该源极与该漏极在该栅极上方相隔一间距使该栅极具有至少一部分不重迭于该源极以及该漏极；

于该源极以及该漏极上形成一半导体通道层，该半导体通道层至少位于该间距中；

于该基板上形成一介电绝缘层以覆盖住该源极、该漏极以及该半导体通道层，且该介电绝缘层的介电系数高于该栅绝缘层的介电系数；

于该介电绝缘层上形成一电容电极，该电容电极重迭于该漏极使得该电容电极、该漏极以及夹于两者间的该介电绝缘层构成一储存电容结构；

于该介电绝缘层上形成一保护层以覆盖住该电容电极；以及

于该保护层上形成连接于该漏极的一像素电极。

8.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该源极与该漏极的步骤、形成该介电绝缘层的步骤以及形成该电容电极的步骤为依序进行。

9.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该介电绝缘层的材质包括氧化铝或二氧化钛。

10.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该介电绝缘层的介电系数由5至10。

11.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该半导体通道层的步骤是在形成该源极与该漏极之后进行。

12.根据权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，更包括在该介电绝缘层形成暴露出该漏极的一第一接触开口以及在该保护层形成连通于该第一接触开口的一第二接触开口使得后续制作的该像素电极通过彼此连通的该第一接触开口与该第二接触开口连接于该漏极。