[发明专利]硅片的抛光方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种用以制造太阳能电池片的硅片的抛光方法。

背景技术

太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于太阳能电池是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种具有广阔发展前景的新型能源。“降本增效”是竞争日益激烈的光伏产业追求的目标。降低硅原料的成本，加速了硅片向薄片化发展。在硅片厚度不断减薄的趋势下，为了获得更高的转换效率，就必须为晶体硅太阳能电池的前、背表面提供高效的钝化技术和较好的背反射效果。

为了获得更好的钝化和背反射效果，在沉积介质膜钝化之前，需要对硅片背表面进行平坦化抛光处理。现有的晶体硅背钝化处理前的抛光方法主要是采用化学试剂抛光，主要有碱抛和酸抛两种。其中碱液抛光后的多晶硅背表面晶界处台阶明显，严重影响随后沉积的介质膜的钝化效果；酸液抛光后的硅片背表面粗糙度较大，沉积介质膜后背反射效果有限。另外，经过多次化学试剂的冲击后，多晶硅片脆性增加，在工业化生产中碎片率增大。同时大量腐蚀性、有毒化学药品的使用也给环境带来了破坏。

因此，有必要提供一种改进的硅片的抛光方法以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可减少环境污染且抛光效果较好的硅片的抛光方法。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种硅片的抛光方法，包括以下步骤：

S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；

S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；

S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；

S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。

作为本发明的进一步改进，在所述S1步骤之前还包括：S0，采用化学腐蚀液对硅片进行去损伤。

作为本发明的进一步改进，所述S1步骤在将所述硅片放置于所述基片架上后还包括对所述等离子体发生装置中的反应腔室进行抽真空处理，抽真空后的反应腔室内的真空度为0.01mTorr至1mTorr。

作为本发明的进一步改进，所述S2步骤中通入的反应气体为NF₃、SF₆、CF₄、C₂H₆、CHF₃、F₂和Cl₂中的至少一种。

作为本发明的进一步改进，S2步骤中通入反应气体的流量为100sccm至1000sccm。

作为本发明的进一步改进，所述S2步骤中反应气体为SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一种时，同时通入氧化性气体为O₂、O₃或N₂O中的一种。

作为本发明的进一步改进，所述S2步骤中通入氧化性气体的流量与通入的反应气体为SF₆、CF₄、C₂H₆和CHF₃中的任意一种的流量比范围为1:10至1:20。

作为本发明的进一步改进，所述激发电源为射频电源或微波电源，所述S3步骤中反应气体通过射频电源或微波电源采用射频容性耦合激发、或者射频感性耦合激发或者微波激发方式激发形成所述等离子体。

作为本发明的进一步改进，采用射频电源激发形成等离子体的功率为100W至2000W，采用微波电源激发形成等离子体的功率为100W至2000W。

作为本发明的进一步改进，所述等离子体的放电气压为50mTorr至300mTorr。

作为本发明的进一步改进，所述等离子体刻蚀抛光得到的硅片的抛光深度为3um至10um。

作为本发明的进一步改进，所述硅片为多晶硅片、或者单晶硅片、或者准单晶硅片。