[发明专利]含有碳烯配位基的过渡金属错合物结构及其在发光材料的应用有效

专利信息
申请号: 201210325514.5 申请日: 2012-09-05
公开(公告)号: CN102977150A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 郑建鸿;卢昆毅;欧阳于涵;谢承翰 申请(专利权)人: 郑建鸿
主分类号: C07F15/00 分类号: C07F15/00;C09K11/06;H01L51/54
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 代理人: 黄超;周春发
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 含有 碳烯配位基 过渡 金属 错合物 结构 及其 发光 材料 应用
【权利要求书】:

1.一种含有碳烯配位基的过渡金属错合物,其特征在于,该含有碳烯配位基的过渡金属错合物之化学结构如下:

其中,M是一过渡金属且选自下列族群之一:钌、铑、钨、铼、锇、铱、铂、以及铜;

Y1、Y2、与Y3可以相同或不同,且独立选自下列族群之一:氮、碳、氧、硫;

Q是一至少包含三个原子的原子团,以构成一含氮杂芳香环基团,其中Q所包含的原子组合选自下列族群:氮、碳、氧、硫,其中上述的含氮杂环基团包含一个或多个取代基,上述的取代基可以相同或不同,且上述取代基独立选自下列族群中之一:氢原子、卤素原子、C1-C20烷基、C1-C20环烷基、烷氧基、卤素取代的C1-C20烷基、C1-C20取代的胺基、C1-C20酰基、C1-C20酯基、C1-C20酰胺基、芳香基、卤素取代的芳香基、卤素取代的芳香烷基、卤烷基取代的芳香基、卤烷基取代的芳香烷基、氰基、硝基、共轭芳香环基团、芳香杂环基团、环烯基团;

R1可以是选自下列族群之一:C1-C20烷基、C1-C20环烷基、共轭芳香环基团、芳香杂环基团;

R2-R10可以相同或不同,且独立选自下列族群之一:氢原子、卤素原子、C1-C20烷基、C1-C20环烷基、烷氧基、卤素取代的C1-C20烷基、C1-C20取代的胺基、C1-C20酰基、C1-C20酯基、C1-C20酰胺基、芳香基、卤素取代的芳香基、卤素取代的芳香烷基、卤烷基取代的芳香基、卤烷基取代的芳香烷基、氰基、硝基、共轭芳香环基团、芳香杂环基团、环烯基团。

2.如权利要求1所述的含有碳烯配位基的过渡金属错合物,其特征在于,该含有碳烯配位基的过渡金属错合物的化学结构如下:

其中,R11-R14可以相同或不同,且独立选自下列族群之一:氢原子、卤素原子、C1-C20烷基、C1-C20环烷基、烷氧基、卤素取代的C1-C20烷基、C1-C20取代的胺基、C1-C20酰基、C1-C20酯基、C1-C20酰胺基、芳香基、卤素取代的芳香基、卤素取代的芳香烷基、卤烷基取代的芳香基、卤烷基取代的芳香烷基、氰基、硝基、共轭芳香环基团、芳香杂环基团、环烯基团。

3.如权利要求1所述的含有碳烯配位基的过渡金属错合物,其特征在于,该含有碳烯配位基的过渡金属错合物的化学结构如下:

其中,R11-R13可以相同或不同,且独立选自下列族群之一:氢原子、卤素原子、C1-C20烷基、C1-C20环烷基、烷氧基、卤素取代的C1-C20烷基、C1-C20取代的胺基、C1-C20酰基、C1-C20酯基、C1-C20酰胺基、芳香基、卤素取代的芳香基、卤素取代的芳香烷基、卤烷基取代的芳香基、卤烷基取代的芳香烷基、氰基、硝基、共轭芳香环基团、芳香杂环基团、环烯基团。

4.如权利要求1所述的含有碳烯配位基的过渡金属错合物,其特征在于,上述的芳香基系选自下列族群之一:苯基、萘基、联苯基、蒽基、苯并菲基、菲基、茀基,上述的芳香杂环基团系选自下列族群之一:哌喃、哌咯啉、呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡啶、喹啉、异喹啉、吡嗪、嘧啶、吡咯、吡唑、咪唑、吲哚、噻唑、异噻唑、恶唑、异恶唑、苯并噻唑、苯并恶唑、二氮菲,上述的环烯基团选自下列族群之一:环己烯(cyclohexene)、环己二烯(、环戊烯、环戊二烯。

5.如权利要求2所述的含有碳烯配位基的过渡金属错合物,其特征在于,上述的芳香基选自下列族群之一:苯基、萘基、联苯基、蒽基、苯并菲基、菲基、茀基,上述的芳香杂环基团选自下列族群之一:哌喃、哌咯啉、呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡啶、喹啉、异喹啉、吡嗪、嘧啶、吡咯、吡唑、咪唑、吲哚、噻唑、异噻唑、恶唑、异恶唑、苯并噻唑、苯并恶唑、二氮菲,上述的环烯基团选自下列族群之一:环己烯、环己二烯、环戊烯、环戊二烯。

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