[发明专利]一种玻璃通孔的制作及互连的方法无效
申请号: | 201210325657.6 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN102820262A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 于大全;姜峰 | 申请(专利权)人: | 江苏物联网研究发展中心 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 制作 互连 方法 | ||
1.一种玻璃通孔的制作方法,其特征是,包括以下步骤:
1)通过热压方法将多个玻璃基片叠层键合在一起,形成多层玻璃基片的叠层键合结构;
2)将键合后的叠层玻璃基片制作出垂直于叠层玻璃基片表面的通孔结构;
3)对叠层玻璃基片拆键合,达到玻璃基片分离。
2.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述玻璃基片叠层键合是通过聚合物材料键合方法实现的,其中聚合物材料是Polyimide、SU8和BCB中的一种,形成多层玻璃基片和Polyimide、SU8或者BCB的叠层结构。
3.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,在步骤2之前,还包括在叠层玻璃板基片一侧的表面制作通孔所需图形的工序。
4.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述通孔采用机械加工、激光加工、喷砂钻孔或者刻蚀中的一种方法进行制作。
5.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,所述通孔的孔径范围为5um-500um。
6.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,步骤3采用化学溶液溶解聚合物达到玻璃基片分离目的;或者使用电火花、线切割、刀片切割等方式对叠层玻璃基片进行拆分。
7.如权利要求1所述玻璃通孔的制作方法,其特征是,步骤3之后,对每片单独的玻璃基片进行清洗,以便于后续制作互连的工艺。
8.一种玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,包括以下步骤:
1)通过热压方法将多个玻璃基片叠层键合在一起,形成多层玻璃基片的叠层键合结构;
2)将键合后的叠层玻璃基片制作出垂直于叠层玻璃基片表面的通孔结构;
3)在所述通孔的侧壁上采用物理沉积或者化学沉积方法制作粘附层;
4)将叠层玻璃基片的通孔进行金属化填充;
5)对叠层玻璃基片拆键合,达到玻璃基片分离。
9.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,在步骤3之前,对具有通孔结构的叠层玻璃基片进行清洗。
10.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,所述粘附层材料为Ni、Ta、Ti、Pt、Pd、AlN和TiN中的至少一种。
11.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,所述叠层玻璃基片通孔金属化填充通过电镀、化学镀、物理沉积或者液态金属填充的方式实现。
12.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,所述金属化填充采用Cu、Sn、W、Ti、Pt、Pd、Ni和Au中的一种作为填充材料。
13.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,在步骤5之前,采用化学机械抛光去除金属化填充后叠层玻璃基片上表面的金属。
14.如权利要求8所述玻璃通孔互连的制作方法,其特征是,在步骤5之后,对每片单独的玻璃基片采用清洗和表面平整化抛光的方法进行减薄至所需厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造