[发明专利]一种热敏薄膜噪声测试方法

权利要求书

1.一种热敏薄膜的噪声测试方法，其特征在于包括以下步骤：

1）通过微细加工工艺制备基于热敏薄膜的测试单元阵列芯片，其中每个测试单元包括：在单晶硅片衬底上制备金属连接点、金属电极薄膜、热敏薄膜，并对金属电极薄膜及热敏薄膜做相应的钝化保护；

2）把制备好的测试阵列芯片固定在陶瓷基板上，并通过金丝键合，从热敏感膜测试单元的金属连接点与基板金属电极相连；

3）将用于封装的方形卡盒卡在陶瓷基板上，方形卡盒内的金属弹片与测试阵列基板金属电极紧密连接，金属弹片的另一端与对应并口引脚相连；

4）通过同轴电缆接口（BNC）实现卡盒金属弹片电极与外电路各引脚相连接；

5）把封装有测试阵列芯片的卡盒与多级桥式放大电路相连接，放大器一端连接偏置电源，另一端连接测试仪器，并将整体测试电路用金属箱封闭起来；

6）根据对被测试单元的阻值及偏压条件的分析，选择偏置电源及测试仪器的工作参数，并选择合适的低噪放大器；

7）根据测试需要，选择测试阵列芯片上某一单元进行测试，对测试数据进行计算和分析，得到相应的噪声参数。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于步骤（1）中所述的制备测试阵列芯片，其具体特征包括以下几点说明：

1）在一个热敏薄膜测试阵列芯片设计中，包含至少3种不同尺寸的热敏薄膜测试单元，且同一尺寸的单元至少有3个；

2）在热敏薄膜测试阵列芯片结构中，设计一组其形状及尺寸与任意一组热敏薄膜测试单元相同的参比金属单元组，以用于评价测试系统中除测试单元外其余部分的噪声水平；

3）沉积金属电极薄膜前，用Ar等离子反溅2～10分钟，充分去除连接点材料氧化层及其它污染物；

4）在金属电极薄膜和热敏薄膜上沉积氮化硅等介质薄膜材料。

3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于步骤（2）、（3）中的测试阵列芯片封装，其具体特征包括以下几点：

1）将测试阵列芯片固定在陶瓷基板上，再将陶瓷基板固定在导热良好的金属板上；

2）测试阵列用金丝键合与基板金属电极相连，基板金属电极通过接触面积较大的金属弹片与外电路相连，保证各个连接点连接良好。

4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于步骤（4）、（5）、（6）中的测试芯片外电路，其特征包括以下几点：

1）所有电路连接均通过同轴电缆相连接，以屏蔽环境电磁干扰和外部噪声；

2）通过多级桥式放大电路对被测单元噪声进行放大，抑制电源及其他外电路的噪声贡献；

3）将整个测试电路封闭在一个金属箱中，与测试阵列芯片封装盒，形成双层屏蔽，以减少环境电磁辐射对样品测试的影响，同时减少气流扰动等外部因素对测试结果的影响。