[发明专利]一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器，其特征在于主要为一个在半导体衬底上，通过四个与该半导体衬底表面呈45度斜角的侧壁互相相交围合，形成的凹槽或者凸台结构；所述侧壁与半导体衬底的交线围合成矩形或方形；

在所述的凹槽或者凸台的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁上分别形成有第一隧道巨磁阻模块、第二隧道巨磁阻模块、第三隧道巨磁阻模块和第四隧道巨磁阻模块；

所述每个隧道巨磁阻模块所测磁场方向均平行于各自所在的侧壁表明且垂直于该侧壁与所述半导体衬底表面的交线。

2.如权利要求1所述的使用45度角的三维隧穿磁场传感器，其特征在于所述的凹槽或者凸台的四个侧壁相交形成一条交线；即一组相对两个侧壁为梯形,另一组相对两个侧壁为三角形。

3.如权利要求1所述的使用45度角的三维隧穿磁场传感器，其特征在于所述的凹槽或者凸台的四个侧壁所在的平面与与所述半导体衬底表面平行的一个平面相交形成四条交线，所述四条交线相交构成一个矩形或者正方形；即四个侧壁为梯形。

4.一种如权利要求1所述的使用45度角的三维隧穿磁场传感器的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

采用湿法刻蚀的方法刻蚀半导体衬底形成包含有四个均与所述半导体衬底表面成45度斜角的侧壁的凹槽或者凸台结构；

在外加磁场作用下淀积隧道巨磁阻材料并采用lift-off工艺在所形成的凹槽或者凸台的第一个侧壁上形成第一隧道巨磁阻模块；

在外加磁场作用下淀积隧道巨磁阻材料并采用lift-off工艺在所形成的凹槽或者凸台的第二个侧壁上形成第二隧道巨磁阻模块；

在外加磁场作用下淀积隧道巨磁阻材料并采用lift-off工艺在所形成的凹槽或者凸台的第三个侧壁上形成第三隧道巨磁阻模块；

在外加磁场作用下淀积隧道巨磁阻材料并采用lift-off工艺在所形成的凹槽或者凸台的第四个侧壁上形成第四隧道巨磁阻模块。

5.如权利要求4所述的使用45度角的三维隧穿磁场传感器的制造方法，其特征在于，所形成的凹槽或者凸台的四个侧壁相交形成一条交线。

6.如权利要求4所述的使用45度角的三维隧穿磁场传感器的制造方法，其特征在于所形述凹槽或者凸台的四个侧壁所在的平面分别与与所述半导体衬底表面平行的一个平面相交形成四条交线，所述四条交线相交构成一个矩形或者正方形。