[发明专利]一种径向检偏式磁光薄膜电流传感器无效

专利信息
申请号: 201210327189.6 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN103675390A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 徐启峰 申请(专利权)人: 徐启峰
主分类号: G01R15/24 分类号: G01R15/24;G01R19/25
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 福建省福州市台江区*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 径向 检偏式磁光 薄膜 电流传感器
【权利要求书】:

1.一种径向检偏式磁光薄膜电流传感器,其特征是:将光信号经传输光纤从低电位传送到高电位的反射棱镜后进入起偏器得到线偏振光并进入磁光薄膜,载流导线电流产生的磁场经集磁环的气隙作用于磁光薄膜,磁场与线偏振光行进的方向一致并使线偏振光的偏振面发生旋转,经径向检偏器解调后得到一个形状固定的光斑,光斑随偏振面同步旋转,由传像棒或传像光纤束将光斑传送到CMOS或CCD图像传感器对光斑定位得到实时数字电流信号。

2.根据权利要求1所述的径向检偏式磁光薄膜电流传感器,其特征是:反射棱镜、起偏器、磁光薄膜、径向检偏器均置于集磁环的气隙之中,集磁环套在载流导线上。

3.根据权利要求1或2所述的径向检偏式磁光薄膜电流传感器,其特征是:径向检偏器为应用纳米离子束刻蚀与纳米压印技术制成的铝金属偏振透射光栅,其透振方向在360°的环形区域内沿径向均匀分布,与径向检偏器上某一透振方向一致的线偏振光能够透过,与该透振方向垂直的线偏振光不能透过,从而在径向检偏器上某一正负90°的区域内透过的线偏振光强度由最大递减到最小,形成一个形状固定的光斑。

4.根据权利要求1或2或3所述的径向检偏式磁光薄膜电流传感器,其特征是:由传像棒或传像光纤束将光斑传送到CCD或CMOS图像传感器对光斑定位得到实时数字电流信号。

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