[发明专利]氮化硅膜沉积设备和沉积方法

权利要求书

1.一种氮化硅膜沉积设备，其特征在于，包括两个或两个以上的反应腔，以及连接在所述反应腔之间的缓冲腔，所述反应腔与所述缓冲腔之间形成真空连接。

2.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，所述反应腔通过管道与真空泵相连接。

3.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述反应腔内设置有压力计。

4.根据权利要求2所述的沉积设备，其特征在于，所述反应腔与所述缓冲腔之间安装有连接法兰，所述连接法兰上设置有密封圈。

5.根据权利要求1所述的沉积设备，其特征在于，还包括用于在所述反应腔和所述缓冲腔内传输硅片基体的载体，所述载体为石墨舟，所述石墨舟设有滚轮，并通过传动轴与电机驱动连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的沉积设备，其特征在于，所述沉积设备的上游端设置有加热腔，所述沉积设备的下游端设置有冷却腔。

7.一种氮化硅膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅片基体送入如权利要求1至6中任一项所述的氮化硅膜沉积设备，使得所述硅片基体连续通过所述反应腔以及所述反应腔之间的所述缓冲腔，在所述硅片基体上沉积多层氮化硅膜。

8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，在所述反应腔内采用PECVD法沉积生成氮化硅膜。

9.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述反应腔包括第一反应腔和第二反应腔，在所述第一反应腔内氨气和硅烷的体积比为1∶1～1.5∶1。

10.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，在所述第一反应腔内气体总量为800～1000sccm，微波功率为3500～4500W，温度为350～400℃，压强为0.28～0.3mbar，硅片传输速度为175～185cm/min。

11.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，在所述第二反应腔内氨气和硅烷的体积比为3∶1～3.5∶1，气体总量为2000～2500sccm，微波功率为4200～5200W，温度为350～400℃，压强为0.28～0.3mbar，硅片传输速度为175～185cm/min。