[发明专利]太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201210327712.5 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102828243A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 张群社;祁伟 | 申请（专利权）人： | 西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 用锗锡共掺 单晶硅 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，其特征在于：单晶硅中掺杂有三种杂质，该三种杂质在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为：电活性杂质为1013～1021atoms/cm3，锗为1016～1019atoms/cm3，锡为1013～1016atoms/cm3。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，其特征在于：所述的电活性杂质选用磷、硼、砷、锑或镓。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，其特征在于：所述的锗、锡，均选用5N纯度以上的高纯单质，或是高纯含锗、锡元素的化合物。
4.一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，其特征在于，按照以下步骤实施：
在太阳能级多晶硅原料中同时掺入质量浓度为10ppbw~1%的电活性杂质、10ppmw~0.5%的锗、10ppbw~10ppmw的锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为：电性杂质为1013～1021atoms/cm3，锗为1016～1019atoms/cm3，锡为1013～1016atoms/cm3，即成。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池用锗锡共掺单晶硅制备方法，其特征在于：所述的电活性杂质选用磷、硼、砷、锑或镓。
6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池用锗锡共掺单晶硅制备方法，其特征在于：所述的锗、锡，均选用5N纯度以上的高纯单质，或是高纯含锗、锡元素的化合物。
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