[发明专利]立体图像显示装置有效

专利信息
申请号: 201210330171.1 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN103033964A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 金硕;黄旷兆;金义泰 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1368;G02B27/26;G09G3/36;H04N13/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;张旭东
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 立体 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种立体图像显示器,所述立体图像显示器包括:

显示面板,所述显示面板被配置为选择性地显示2D图像和3D图像,所述显示面板包括多个像素;以及

构图延迟器,所述构图延迟器被配置为将来自所述显示面板的光划分为第一偏振光和第二偏振光,

其中,所述多个像素中的每一个像素包括:

主显示单元,所述主显示单元包括第一像素电极和第一公共电极,所述第一像素电极通过第一薄膜晶体管(TFT)连接至数据线,所述第一公共电极与所述第一像素电极相对并且连接至上公共线;

辅显示单元,所述辅显示单元包括第二像素电极和第二公共电极,所述第二像素电极通过第二TFT连接至所述数据线并且通过放电控制TFT连接至所述上公共线,所述第二公共电极与所述第二像素电极相对并且连接至所述上公共线;以及

线单元,所述线单元布置在所述主显示单元和所述辅显示单元之间,所述线单元包括选通线、放电控制线和下公共线,通过所述选通线将扫描脉冲公共地施加至所述第一TFT和所述第二TFT,通过所述放电控制线将放电控制电压施加至放电控制TFT,并且通过所述下公共线将公共电压施加至所述上公共线,

其中,在所述下公共线上形成有所述主显示单元的第一存储电容器和所述辅显示单元的第二存储电容器。

2.根据权利要求1所述的立体图像显示器,其中,当实现2D图像时,将与所述扫描脉冲的选通低电压同一电平的放电控制电压公共地施加至所述多个像素的所述放电控制TFT,

其中,当实现3D模式时,将高于所述选通低电压并且低于所述选通脉冲的选通高电压的略微导通电平的放电控制电压公共地施加至所述多个像素的所述放电控制TFT。

3.根据权利要求1所述的立体图像显示器,其中,所述选通线、所述放电控制线以及所述下公共线形成在同一水平的层上,并且穿过所述主显示单元和所述辅显示单元之间。

4.根据权利要求1所述的立体图像显示器,其中,所述第一存储电容器由彼此交叠的所述第一TFT的源极和所述下公共线以及夹在所述第一TFT的源极和所述下公共线之间的栅绝缘层形成,

其中,所述第二存储电容器由彼此交叠的所述第二TFT的源极和所述下公共线以及夹在所述第二TFT的源极和所述下公共线之间的栅绝缘层形成。

5.一种立体图像显示器,所述立体图像显示器包括:

显示面板,所述显示面板被配置为选择性地显示2D图像和3D图像,所述显示面板包括多个像素;以及

构图延迟器,所述构图延迟器被配置为将来自所述显示面板的光划分为第一偏振光和第二偏振光,

其中,所述多个像素中的每一个像素包括:

主显示单元,所述主显示单元包括第一像素电极和第一公共电极,所述第一像素电极通过第一薄膜晶体管(TFT)连接至数据线,所述第一公共电极与所述第一像素电极相对并且连接至上公共线;

辅显示单元,所述辅显示单元包括第二像素电极和第二公共电极,所述第二像素电极通过第二TFT连接至所述数据线并且通过放电控制TFT连接至所述上公共线,所述第二公共电极与所述第二像素电极相对并且连接至所述上公共线;以及

线单元,所述线单元布置在所述主显示单元和所述辅显示单元之间,所述线单元包括选通线、放电控制线和下公共线,通过所述选通线将扫描脉冲公共地施加至所述第一TFT和所述第二TFT,通过所述放电控制线将放电控制电压施加至放电控制TFT,并且通过所述下公共线将公共电压施加至所述上公共线,

其中,在所述下公共线上形成有所述主显示单元的第一存储电容器,并且在所述放电控制线上形成有所述辅显示单元的第二存储电容器。

6.根据权利要求5所述的立体图像显示器,其中,当实现2D图像时,将与所述扫描脉冲的选通低电压同一电平的放电控制电压共同地施加至所述多个像素的所述放电控制TFT,

其中,当实现3D模式时,将高于所述选通低电压并且低于所述选通脉冲的选通高电压的略微导通电平的放电控制电压共同地施加至所述多个像素的所述放电控制TFT。

7.根据权利要求5所述的立体图像显示器,其中,所述选通线、所述放电控制线以及所述下公共线形成在同一水平的层上,并且穿过所述主显示单元和所述辅显示单元之间。

8.根据权利要求5所述的立体图像显示器,其中,所述第一存储电容器由彼此交叠的所述第一TFT的源极和所述下公共线以及夹在所述第一TFT的源极和所述下公共线之间的栅绝缘层形成,

其中,所述第二存储电容器由彼此交叠的所述第二TFT的源极和所述放电控制线以及夹在所述第二TFT的源极和所述放电控制线之间的栅绝缘层形成。

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