[发明专利]制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物

权利要求书

1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成包括栅极线和栅极电极的栅极图案；

在其上形成有所述栅极图案的所述基板上提供氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括金属氧化物层；

在所述氧化物半导体层上提供数据金属层，其中所述数据金属层包括铜金属层；

通过利用蚀刻溶液组合物同时且完全地蚀刻所述数据金属层和所述氧化物半导体层来使所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成图案，以便形成包括半导体图案、数据线、源电极和漏电极的源图案；以及

提供电连接到所述漏电极的像素电极，

其中，所述蚀刻溶液组合物包括：重量百分比为0.5%至20%的过硫酸盐；重量百分比为0.01%至2%的氟化合物；重量百分比为1%至10%的无机酸；重量百分比为0.5%至5%的环胺化合物；重量百分比为0.001%至5%的氯化合物；重量百分比为0.1%至10%的有机酸、该有机酸的盐或二者的混合物；和形成所述组合物的余量的水。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜金属层为：单一的铜层，所述单一的铜层含有选自铜、铜氮化物和铜氧化物的至少一种；铜合金层，所述铜合金层含有选自铝、镁、钙、钛、银、铬、锰、铁、锆、铌、钼、钯、铪、钽和钨中的至少一种和选自铜、铜氮化物和铜氧化物中的至少一种；或所述单一的铜层和所述铜合金层的叠层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述铜合金层为含有铜和锰的膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属氧化物层含有选自锌、锡、镉、镓、铝、铍、镁、钙、锶、钡、镭、铊、钪、铟、钇、镧、锕、钛、锆、铪、钽和鈩中的至少两种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属氧化物层为三组分的膜，所述三组分的膜含有选自锡、镉、镓、铝、铍、镁、钙、锶、钡、镭、铊、钪、钇、镧、锕、钛、锆、铪、钽和鈩中的至少一种以及与铟和锌。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述数据金属层包括铜合金层和在所述铜合金层上提供的单一的铜层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述数据金属层包括铜合金层、在所述铜合金层上提供的单一的铜层和在所述单一的铜层上提供的另一铜合金层。

8.一种用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物，所述蚀刻溶液组合物包括：

重量百分比为0.5%至20%的过硫酸盐；

重量百分比为0.01%至2%的氟化合物；

重量百分比为1%至10%的无机酸；

重量百分比为0.5%至5%的环胺化合物；

重量百分比为0.001%至5%的氯化合物；

重量百分比为0.1%至10%的有机酸、该有机酸的盐或二者的混合物；以及

构成所述组合物的余量的水。

9.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述过硫酸盐为选自过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述氟化合物为选自氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟化氢钾、氟硼酸钾、氟化钠、氟化氢钠、氟化铝、氟硼酸、氟化锂和氟化钙中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述无机酸为选自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一种。

12.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述环胺化合物为选自5-氨基四氮唑、甲基苯骈三氮唑、苯并三唑、甲基苯并三唑、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物中的至少一种。

13.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述氯化合物为选自氯酸、氯化钠、氯化钾和氯化铵中的至少一种。

14.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述有机酸为选自乙酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、丁酸、柠檬酸、异柠檬酸、甲酸、葡糖酸、羟基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、琥珀酸、磺基琥珀酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、羟基丁二酸、酒石酸和丙烯酸中的至少一种。

15.根据权利要求8所述的组合物，其中，所述盐为钾盐、钠盐或铵盐。