[发明专利]一种具有浮置环结构的双极型晶体管在审

申请号：	201210330637.8	申请日：	2012-09-09
公开（公告）号：	CN103681816A	公开（公告）日：	2014-03-26
发明（设计）人：	崔京京;张作钦	申请（专利权）人：	苏州英能电子科技有限公司
主分类号：	H01L29/739	分类号：	H01L29/739;H01L29/45
代理公司：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250	代理人：	张建纲
地址：	215163 江苏省苏州市苏州高***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种具有浮置环结构双极型晶体管
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【权利要求书】：

1.一种具有浮置环结构的双极型三极管，自下而上包括衬底、缓冲区、集电区、基区以及发射区，在所述基区和集电区的边界处分别成形有欧姆接触区，发射极位于所述发射区上，集电极位于所述集电区的欧姆接触区之上，基极位于所述基区的欧姆接触区之上，其特征在于：在所述集电区的欧姆接触区周围成形有多个浮置环，所述浮置环位于所述集电区表面，并靠近所述欧姆接触区。

2.根据权利要求1所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述浮置环设置1-100个。

3.根据权利要求2所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述浮置环设置40个。

4.根据权利要求1或2或3所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述浮置环在所述集电区的欧姆接触区周围均匀设置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述浮置环与所述集电区的欧姆接触区的距离为0.1um-10um。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述浮置环为在所述集电区的漂移区通过离子注入并退火形成的环形浮空区域。

7.根据权利要求6所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述离子为硼离子、铝离子。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的具有浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：在所述基区与所述集电区的边界处也设置有浮置环。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述衬底为P⁺碳化硅衬底，所述缓冲区为P型碳化硅外延层。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的浮置环结构的双极型三极管，其特征在于：所述双极型三极管为PNP或NPN型横向双极型三极管。

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