[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201210330676.8 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102856437A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张津燕;胡安红;徐希翔;李沅民;单洪青 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶硅 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：
在不锈钢基板上沉积银Ag薄膜和氧化锌ZnO薄膜；
在所述ZnO薄膜表面沉积掺P的负电极层；
在所述负电极层表面沉积微晶硅薄膜；在此过程中掺入微量的B或Ga或In；
在所述微晶硅层表面沉积掺B的正电极层；
在所述正电极层表面沉积透明导电氧化物TCO薄膜。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：根据微晶硅薄膜中杂质O的含量确定掺杂的B或Ga或In的浓度。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：所述微晶硅薄膜中O杂质的含量为1017-1019at/cm3。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：微晶硅薄膜中的B或Ga或In掺杂含量为1015-1017at/cm3。
5.一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：
在玻璃基板上沉积透明导电氧化物TCO薄膜；
在所述TCO薄膜表面沉积掺B的正电极层；
在所述正电极层表面沉积微晶硅薄膜；在此过程中掺入微量的B或Ga或In；
在所述微晶硅层表面沉积掺P的负电极层；
在所述负电极层表面沉积AZO薄膜和金属背电极。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于：根据微晶硅薄膜中杂质O的含量确定掺杂的B或Ga或In的浓度。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：微晶硅薄膜中O杂质的含量为1017-1019at/cm3。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：微晶硅薄膜中的B或Ga或In掺杂含量为1015-1017at/cm3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
