[发明专利]气体传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种气体传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成介质层；

在所述介质层之上形成第一压焊块和第二压焊块；

在所述介质层之上形成碳基薄膜，其中，所述碳基薄膜位于所述第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖所述第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及

在所述碳基薄膜之上形成第一金属接触和第二金属接触，其中所述第一金属接触与所述第一压焊块的至少一部分相连，所述第二金属接触与所述第二压焊块的至少一部分相连。

2.如权利要求1所述的气体传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述介质层中形成加热器件和测温器件。

3.如权利要求1所述的气体传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底为Si，所述介质层为通过热氧化形成的SiO₂或通过沉积形成的Si₃N₄。

4.如权利要求1所述的气体传感器的形成方法，其特征在于，所述碳基薄膜包括单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。

5.如权利要求5所述的气体传感器的形成方法，其特征在于，通过Cu衬底上CVD后化学湿法转移，或者Pt衬底上CVD后电化学法转移以形成所述碳基薄膜。

6.一种气体传感器，其特征在于，包括以下部分：

衬底；

形成在所述衬底之上的介质层；

形成在所述介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；

形成在所述介质层之上的碳基薄膜，其中，所述碳基薄膜位于所述第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖所述第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及

形成在所述碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中所述第一金属接触与所述第一压焊块的至少一部分相连，所述第二金属接触与所述第二压焊块的至少一部分相连。

7.如权利要求6所述的气体传感器，其特征在于，还包括：位于所述介质层中的加热器件和测温器件。

8.如权利要求6所述的气体传感器，其特征在于，所述衬底为Si，所述介质层为通过热氧化形成的SiO₂或通过沉积形成的Si₃N₄。

9.如权利要求6所述的气体传感器，其特征在于，所述碳基薄膜包括单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。

10.如权利要求6所述的气体传感器，其特征在于，所述碳基薄膜通过Cu衬底上CVD后化学湿法转移，或者Pt衬底上CVD后电化学法转移形成。