[发明专利]半导体器件及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一驱动电压发生单元，所述第一驱动电压发生单元被配置成产生第一驱动电压；

熔丝单元，所述熔丝单元被耦接在用于接收第一驱动电压的输出节点与熔丝状态感测节点之间；

驱动单元，所述驱动单元被配置成响应于控制信号而用第二驱动电压来驱动所述熔丝状态感测节点；

电压电平控制单元，所述电压电平控制单元被配置成响应于与所述熔丝状态感测节点的电压电平相对应的熔丝状态感测信号而产生电压电平控制信号；以及

第二驱动电压发生单元，所述第二驱动电压发生单元被配置成响应于所述电压电平控制信号而控制并输出所述第二驱动电压的电压电平。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述控制信号是周期性的信号，且所述电压控制单元被配置成响应于所述周期性的信号的每个脉冲而逐步地增加所述第二驱动电压的大小，直到所述熔丝状态感测信号指示所述熔丝单元具有目标状态。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述控制信号包括源于自我刷新信号的信号或从半导体器件外部输入的外部命令。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一驱动电压发生单元被配置成响应于所述电压电平控制信号而控制并输出所述第一驱动电压的电压电平。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压电平控制单元被配置成响应于所述控制信号而使能所述电压电平控制信号的改变。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述电压电平控制单元被配置成在所述控制信号从使能状态转变成禁止状态之后，使能所述电压电平控制信号的改变。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述熔丝单元包括反熔丝。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

感测单元，所述感测单元被配置成感测所述熔丝单元的电阻状态，并输出所述熔丝状态感测信号。

9.一种半导体器件，包括：

第一电压发生单元，所述第一电压发生单元被配置成产生第一电压；

熔丝单元，所述熔丝单元被耦接在用于接收所述第一电压的输出节点与熔丝状态感测节点之间；

驱动单元，所述驱动单元被配置成响应于断裂控制信号而用第二电压来驱动所述熔丝状态感测节点；

电压电平控制单元，所述电压电平控制单元被配置成响应于检测使能信号和与所述熔丝状态感测节点的电压电平相对应的熔丝状态感测信号，而产生电压电平控制信号；

第二电压发生单元，所述第二电压发生单元被配置成响应于所述电压电平控制信号而增加并输出所述第二电压的电压电平。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述断裂控制信号是周期性的信号，并且所述电压电平控制单元被配置成响应于所述周期性的信号的每个脉冲而逐步地增加所述第二电压的大小，直到所述熔丝状态感测信号指示所述熔丝单元具有目标状态。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述断裂控制信号包括源于自我刷新信号或从半导体器件外部输入的外部命令。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一电压发生单元被配置成响应于所述电压电平控制信号而减小并输出所述第一电压的电压电平。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中，所述低电压包括衬底电压。

14.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电压电平控制单元包括：

断裂状态检测器，所述断裂状态检测器用于响应于所述检测使能信号和所述熔丝状态感测信号而检测所述熔丝单元是否断裂；

计数器，所述计数器用于响应于从所述断裂状态检测器输出的计数使能信号而执行计数操作；以及

译码器，所述译码器用于将从所述计数器输出的计数码信号译码，并输出所述电压电平控制信号。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述计数器被配置成在所述计数使能信号被使能时将计数输出的值增加1，而在所述计数使能信号被禁止多于第一时段的时间时，将所述计数器复位。

16.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二电压发生单元包括用于产生所述第二电压的电荷泵。