[发明专利]热电偶及其形成方法

权利要求书

1.一种热电偶的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成介质层；

在所述介质层之上形成金属层；

对所述金属层进行光刻及刻蚀处理，以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条，其中所述第二压焊块与所述热偶金属条相连；

在所述介质层之上形成碳基薄膜，其中，所述碳基薄膜的一端与所述压焊块接触，另一端与所述热偶金属条接触；以及

在所述第一压焊块形成第一金属接触，并在所述第二压焊块之上形成第二金属接触。

2.如权利要求1所述的热电偶的形成方法，其特征在于，所述衬底为Si，所述介质层为通过热氧化形成的SiO₂或通过沉积形成的Si₃N₄。

3.如权利要求1所述的热电偶的形成方法，其特征在于，所述碳基薄膜包括单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。

4.如权利要求1所述的热电偶的形成方法，其特征在于，通过Cu衬底上CVD后化学湿法转移，或者Pt衬底上CVD后电化学法转移以形成所述碳基薄膜。

5.如权利要求1所述的热电偶的形成方法，其特征在于，所述热偶金属条为Bi。

6.如权利要求1所述的热电偶的形成方法，其特征在于，所述衬底的背面经过减薄处理。

7.一种热电偶，其特征在于，包括以下部分：

衬底；

形成在所述衬底之上的介质层；

形成在所述介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；

形成在所述介质层之上的碳基薄膜和热偶金属条，其中，所述碳基薄膜的一端与所述第一压焊块相连，另一端与所述热偶金属条相连，所述热偶金属条的另一端与所述第二压焊块相连；以及

形成在所述第一压焊块之上的第一金属接触和形成在所述第二压焊块之上的第二金属接触。

8.如权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述衬底为Si，所述介质层为通过热氧化形成的SiO₂或通过沉积形成的Si₃N₄。

9.如权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述碳基薄膜包括单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。

10.如权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述碳基薄膜通过Cu衬底上CVD后化学湿法转移，或者Pt衬底上CVD后电化学法转移形成。

11.如权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述热偶金属条为Bi。

12.如权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述衬底的背面经过减薄处理。