[发明专利]一种荧光材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种荧光材料，其特征在于，所述荧光材料含有介孔材料和改性的硅纳米晶体，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R¹Si(OR²)₃的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得，其中，R¹为烯基，R²为取代或未取代的烷基。

2.根据权利要求1所述的荧光材料，其中，所述介孔材料的含量与所述改性的硅纳米晶体的含量的重量比为1:0.1-10，优选为1:0.5-5。

3.根据权利要求1或2所述的荧光材料，其中，所述介孔材料为硅基介孔材料。

4.根据权利要求3所述的荧光材料，其中，所述介孔材料为SBA-15、SBA-16、MCM-41和MCM-48中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的荧光材料，其中，R¹为C2-C10烯基，优选为乙烯基；R²为取代或未取代的C1-C10烷基，优选为乙基。

6.根据权利要求1或5所述的荧光材料，其中，所述硅氢化反应的条件包括：反应温度为150-200℃，所述硅纳米晶体的用量与所述硅烷化合物的用量的重量比为0.1:6以下，优选为0.01-0.1:6。

7.根据权利要求1或6所述的荧光材料，其中，所述硅纳米晶体的颗粒尺寸为10纳米以下，优选为1-8纳米。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的荧光材料，其中，所述荧光材料的平均孔径为3-30纳米，孔容为大于0.2cm³·g^-1且小于等于1cm³·g^-1，比表面积为大于200m²·g^-1且小于等于1000m²·g^-1。

9.一种荧光材料的制备方法，该方法包括：在有机溶剂的存在下，将改性的硅纳米晶体与介孔材料混合接触，所述改性的硅纳米晶体通过将硅纳米晶体与通式为R¹Si(OR²)₃的硅烷化合物进行硅氢化反应而制得，其中，R¹为烯基，R²为取代或未取代的烷基。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述介孔材料的用量与所述改性的硅纳米晶体的用量的重量比为1:0.1-10，优选为1:0.5-5。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述改性的硅纳米晶体与所述介孔材料的混合接触条件包括：pH值为1-5，优选为1-2；温度为0-100℃，优选为20-40℃。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述介孔材料为硅基介孔材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述介孔材料为SBA-15、SBA-16、MCM-41和MCM-48中的至少一种。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硅纳米晶体的颗粒尺寸为10纳米以下，优选为1-8纳米。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，R¹为C2-C10烯基，优选为乙烯基；R²为取代或未取代的C1-C10烷基，优选为乙基。

16.根据权利要求9、14和15中任意一项所述的方法，其中，所述硅氢化反应的条件包括：反应温度为150-200℃，所述硅纳米晶体的用量与所述硅烷化合物的用量的重量比为0.1:6以下，优选为0.01-0.1:6。

17.权利要求1-8中任意一项所述的荧光材料作为药物传导载体的应用。