[发明专利]一种YCOB晶体抛光表面的清洗方法有效
| 申请号： | 201210332348.1 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102825028A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;孙晓雁;张锦龙;程鑫彬;焦宏飞;沈正祥;马彬;王占山 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ycob 晶体 抛光 表面 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种YCOB晶体抛光表面的清洗方法，其特征在于具体步骤如下：
(1)用蘸有丙酮的棉签轻拭YCOB晶体抛光表面，将擦拭后的YCOB晶体置于第一清洗槽中，第一清洗槽中加入碱性溶液对该样品进行清洗，溶液温度为室温；所述碱性溶液体积比为NH4OH：H2O2：H2O=1:8:40；
(2)将步骤(1)所得溶液分别在20KHz～60KHz、80KHz～160KHz频率下先后超声2～4分钟；
(3)将步骤(2)所得样品放置于第二清洗槽中，用去离子水漂洗，去离子水温度为室温；
(4)将样品放置第三清洗槽中，第三清洗槽中加入去离子水，分别在20KHz～60KHz、80KHz～160KHz频率下先后超声3～6分钟；
(5)取出样品，重复步骤(3)；
(6)干燥步骤(5)所得产品。
2.根据权利要求1所述的YCOB晶体抛光表面的清洗方法，其特征在于步骤(1)中碱性溶液的配制先后顺序分别为：去离子水、双氧水和氨水。
3.根据权利要求1所述的YCOB晶体抛光表面的清洗方法，其特征在于步骤(6)中所述干燥温度为55-65度。
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