[发明专利]有机分子存储器和用于有机分子存储器的有机分子

权利要求书

1.一种有机分子存储器，包括：

第一传导层；

第二传导层；和

在第一传导层和第二传导层之间提供的有机分子层，所述有机分子层包括选自满足下述条件(I)和(II)的分子组，所述有机分子具有分子骨架，所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π-电子体系：

(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和

(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为-5.75eV或更高。

2.根据权利要求1的存储器，其中所述分子组如(i)和(ii)之一所述：

(i)具有下述通式(1)所示核结构的分子组，

式(1)

其中C、D、E和F为选自下述组(a)或氢原子的取代基，并且A和B为选自下述组(b)中所列结构的分子结构：

(a)NO₂、CN、F、COOH、COOR、SO₃H、SO₃R、NH₂、NR₂、OH、OR和R，其中R为烷基；和

(b)苯基环、噻吩环、吡咯环、呋喃环、吡啶环、吡嗪环、咔唑环、呫吨环、喹啉环、异喹啉环、吖啶环，所述环的相应取代基改性的结构，和通过经由预定单元结构偶合所述环或所述环的相应取代基改性的结构而形成的偶合结构，其中所述预定单元结构为选自C-C偶合单元、烯属双偶合单元(C=C)和炔属C-C三偶合单元的结构：

(ii)基础结构或其偶合结构的分子组，

所述基础结构为下式(C1)-(C16)所示的多环芳族烃、或者用氮(N)对部分碳(C)进行取代基改性的所述多环芳族烃的相应取代基改性的结构、或者用选自组(a)的取代基进行取代基改性的所述多环芳族烃的相应取代基改性的结构，

所述偶合结构通过经由预定单元结构偶合所述多环芳族烃或所述多环芳族烃的相应取代基改性的结构而形成，其中所述预定单元结构为选自C-C偶合单元、烯属双偶合单元(C=C)和炔属C-C三偶合单元的结构：

3.根据权利要求2的存储器，其中所述有机分子具有至少一个或多个NO₂取代基。

4.根据权利要求2的存储器，其中在通式(1)中，A和B为基础结构或其偶合结构，

所述基础结构为下式(B1)-(B16)所示的结构，其中C、D、E和F为选自组(a)且其中R为烷基的取代基，或者通过对式(B1)-(B16)所示结构进行取代基改性而形成的相应取代基改性的结构，

所述偶合结构通过经由预定单元结构偶合所述基础结构或所述取代基改性的结构而形成，其中所述预定单元结构为选自C-C偶合单元、烯属双偶合单元(C=C)和炔属C-C三偶合单元的结构，

5.根据权利要求1的存储器，其中所述分子组如下所述：

具有下述通式(5)所示核结构的分子组：

式(5)

其中C、D、E和F为选自下述组(a)、氢原子、下式(D1)-(D10)所示供体型分子单元或其衍生物的取代基，且A和B为选自下述组(b)中所列的结构或下式(D1)-(D10)所示供体型分子单元或其衍生物的分子结构；A、B、C、D、E和F中至少一个为下式(D1)-(D10)所示供体型分子单元或其衍生物：

(a)NO₂、CN、F、COOH、COOR、SO₃H、SO₃R、NH₂、NR₂、OH、OR和R，其中R为烷基；和

(b)苯基环、噻吩环、吡咯环、呋喃环、吡啶环、吡嗪环、咔唑环、呫吨环、喹啉环、异喹啉环、吖啶环、所述环的相应取代基改性的结构，和通过经由预定单元结构偶合所述环或所述环的相应取代基改性的结构而形成的偶合结构，其中所述预定单元结构为选自C-C偶合单元、烯属双偶合单元(C=C)和炔属C-C三偶合单元的结构；