[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置无效

专利信息
申请号: 201210332735.5 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102854677A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 田明;崔晓鹏;刘家荣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;赵爱军
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制造 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置。

背景技术

液晶显示器包括以矩阵形式设计的像素单元,以及驱动这些像素单元的驱动电路,通过液晶盒内电场的变化实现液晶分子的偏转,来达到显示效果。

现有液晶显示器件大多数采用传统的黑矩阵制造技术,即为了避免漏光问题,在彩膜基板上制作黑矩阵,并分别将红色色阻R、绿色色阻G以及蓝色色阻B以交叠(Over Lap)的形式与黑矩阵连接。这种结构会不可避免的带来角段差问题,这样严重影响了显示画面的品质。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置,以提高显示画面的品质。

为解决上述技术问题,本发明提供技术方案如下:

一种阵列基板,所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料,且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口。

所述阵列基板包括:

基板;

形成在基板上的栅电极和栅线;

形成在形成有所述栅电极和栅线的基板上的所述栅绝缘层;

形成在所述栅绝缘层上的半导体层;

形成在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极;

形成在形成有所述数据线、源电极和漏电极的基板上的钝化层,所述钝化层上形成有过孔;

形成在钝化层上的像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

上述的阵列基板,其中,还包括:

形成在所述源电极、漏电极与半导体层之间的欧姆接触层。

上述的阵列基板,其中:所述黑色绝缘材料为有机材料。

一种阵列基板的制造方法,所述制造方法采用黑色绝缘材料形成所述阵列基板的栅绝缘层,并在所述栅绝缘层中形成暴露出像素区域的开口。

所述制造方法包括:

在基板上形成栅电极和栅线;

在形成有所述栅电极和栅线的基板上形成所述栅绝缘层;

在所述栅绝缘层上形成半导体层、数据线、源电极和漏电极;

在形成有所述半导体层、数据线、源电极和漏电极的基板上形成钝化层,并在所述钝化层上形成过孔;

在所述钝化层上形成像素电极,所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极连接。

上述的制造方法,还包括:

在所述源电极。漏电极与半导体层之间形成欧姆接触层。

上述的制造方法,其中:所述黑色绝缘材料为有机材料。

一种显示装置,包括上述的阵列基板。

根据本发明的上述技术方案,利用黑色绝缘材料来形成阵列基板的栅绝缘层,且在所述栅绝缘层形成暴露出像素区域的开口,这样,栅绝缘层就同时起到了黑矩阵的作用,能够避免现有显示装置制造过程中彩膜基板出现的角段差问题,从而提高了显示画面的品质。另外,由于避免了角段差,则又可省略彩膜基板平坦层的涂布,从而能够降低显示装置的制造成本。

附图说明

图1为本发明实施例的阵列基板的截面示意图;

图2为本发明实施例的阵列基板中栅绝缘层的平面示意图;

图3~图6为本发明实施例的阵列基板的制造过程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例对本发明进行详细描述。

为了避免现有显示装置制造过程中彩膜基板出现的角段差问题,本发明实施例提供一种显示装置,所述显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及夹设在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。其中,所述彩膜基板中不包括黑矩阵;所述阵列基板的栅绝缘层采用黑色绝缘材料,且所述栅绝缘层具有暴露出像素区域的开口,这样,栅绝缘层就同时起到了黑矩阵的作用。具体地,所述显示装置可以是液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器等。

图1为本发明实施例的阵列基板的截面示意图。参照图1,所述阵列基板可以包括:

基板1;

形成在基板1上的栅电极2和栅线(图未示);

形成在形成有所述栅电极2和栅线的基板1上的所述栅绝缘层3,栅绝缘层3采用黑色绝缘材料,且所述栅绝缘层3具有暴露出像素区域的开口;

形成在所述栅绝缘层3上的半导体层4;

形成在所述半导体层4上的数据线(图未示)、源电极6和漏电极7;

形成在形成有所述数据线、源电极6和漏电极7的基板1上的钝化层8,所述钝化层上形成有过孔9;

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