[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；

在假栅极堆叠结构两侧的鳍片中形成第一源漏凹槽；

在鳍片中第一源漏凹槽下方形成第二源漏凹槽，以及在第二源漏凹槽侧面形成第三源漏凹槽；

在第二源漏凹槽和第三源漏凹槽中形成绝缘隔离层；

在第一源漏凹槽中形成源漏区，源漏区之间的鳍片构成沟道区；

在器件上形成层间介质层；

去除假栅极堆叠结构，在层间介质层中留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。

2.如权利要求1的方法，其中，在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片的步骤进一步包括：刻蚀衬底形成沿第一方向延伸的多个沟槽，沟槽之间的衬底剩余部分构成多个鳍片；在沟槽中填充绝缘材料构成浅沟槽隔离；回刻浅沟槽隔离以暴露鳍片的顶部。

3.如权利要求1的方法，其中，在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构的步骤进一步包括：在鳍片和衬底上依次沉积垫氧化层、假栅极层和硬掩模层；光刻/刻蚀硬掩模层形成沿第二方向延伸的硬掩模图案；以硬掩模图案为掩模，刻蚀假栅极层和垫氧化层形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构。

4.如权利要求1的方法，其中，第一源漏凹槽具有垂直侧壁。

5.如权利要求1的方法，其中，形成第二和第三源漏凹槽的步骤进一步包括：在假栅极堆叠结构和第一源漏凹槽的侧面形成掩蔽侧墙；各向异性刻蚀鳍片，在第一源漏凹槽的下方形成第二源漏凹槽；各向同性刻蚀鳍片，在第二源漏凹槽的侧面形成第三源漏凹槽。

6.如权利要求1的方法，其中，第三源漏凹槽穿通以使得绝缘隔离层完全分隔沟道区与衬底。

7.如权利要求1的方法，其中，第三源漏凹槽的截面形状包括∑形、梯形、倒梯形、三角形、D形、C形、矩形及其组合。

8.如权利要求1的方法，其中，在第一源漏凹槽中形成源漏区的步骤进一步包括：在第一源漏凹槽中外延生长源漏区；在源漏区中进行第一次源漏掺杂形成源漏延伸区；在假栅极堆叠结构周围形成栅极侧墙；在栅极侧墙两侧的源漏区中进行第二次源漏掺杂形成源漏重掺杂区。

9.如权利要求1的方法，其中，源漏区与衬底材质不同以提供应力。

10.一种半导体器件，包括：

多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；

栅极堆叠结构，在鳍片上沿第二方向延伸；

源漏区，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中；

沟道区，位于鳍片中源漏区之间；

其特征在于，沟道区与衬底之间具有绝缘隔离层。