[发明专利]低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法无效
| 申请号： | 201210333010.8 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102842489A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 汤晓燕;多亚军;张玉明;吕红亮;宋庆文 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏移 电压 sic mos 电容 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法，包括如下步骤：
（1）对N-SiC外延材料进行标准清洗处理；
（2）在清洗处理后的N-SiC外延材料上，利用分子束外延的方法外延一层1~10nm厚的AlN薄层；
（3）在经过外延AlN处理的N-SiC外延层上干氧氧化一层厚度为10~100nm的SiO2；
（4）将氧化后的N-SiC外延材料依次完成在Ar气环境中退火和冷处理；
（5）对冷处理后的N-SiC外延材料，先使用光刻版真空溅射Al制作电极，其中大电极的直径为900μm，小电极的直径为200μm，两电极的距离为1mm；再置于温度为400±5℃的Ar气环境中退火30min，完成低偏移平带电压SiC MOS电容的制作。
2.根据权利要求1所述的SiC MOS电容的制作方法，其中步骤（2）所述的利用分子束外延的方法外延AlN薄层，其工艺条件是：衬底温度为800±5℃。
3.根据权利要求1所述的SiC MOS电容的制作方法，其中步骤（4）所述的在Ar气环境中退火，其工艺条件是：退火温度为1200±10℃，退火时间为30min。
4.根据权利要求1所述的SiC MOS电容的制作方法，其中步骤（4）所述的在Ar气环境中进行冷处理，是按照5℃/min的速率冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
