[发明专利]晶圆减薄方法有效
申请号: | 201210333074.8 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN102832224A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 费孝爱;洪齐元 | 申请(专利权)人: | 豪威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆减薄 方法 | ||
1.一种晶圆减薄方法,其特征在于,包括:提供晶圆;利用多道研磨工艺减薄所述晶圆,其中,在每道研磨工艺之后还对所述晶圆执行湿法刻蚀工艺。
2.如权利要求1所述的晶圆减薄方法,其特征在于,后一道研磨工艺去除的晶圆厚度小于前一道研磨工艺去除的晶圆厚度。
3.如权利要求1所述的晶圆减薄方法,其特征在于,利用两道研磨工艺减薄所述晶圆。
4.如权利要求3所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第一道研磨工艺去除的晶圆厚度为250μm~500μm;第二道研磨工艺去除的晶圆厚度为200μm~450μm。
5.如权利要求3所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在提供晶圆的工艺步骤中,所提供的晶圆包括第一层及位于所述第一层上的第二层,其中,所述第一层所掺杂的离子浓度小于所述第二层所掺杂的离子浓度,所述第一层靠近所述晶圆的正面。
6.如权利要求5所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第一道研磨工艺之后执行一道湿法刻蚀工艺,该一道湿法刻蚀工艺去除部分第二层。
7.如权利要求6所述的晶圆减薄方法,其特征在于,该一道湿法刻蚀工艺去除的晶圆厚度为25μm~50μm。
8.如权利要求5所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第二道研磨工艺之后执行三道湿法刻蚀工艺,其中,在该三道湿法刻蚀工艺中,
第一道湿法刻蚀工艺去除部分第二层;
第二道湿法刻蚀工艺去除部分第二层及部分第一层;
第三道湿法刻蚀工艺去除部分第一层。
9.如权利要求8所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在第二道湿法刻蚀工艺中,刻蚀液对于第二层的刻蚀速率大于对于第一层的刻蚀速率。
10.如权利要求9所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在第二道湿法刻蚀工艺中,刻蚀液对于第二层和第一层的刻蚀速率比为50~200:1。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的