[发明专利]晶圆减薄方法有效

专利信息
申请号: 201210333074.8 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102832224A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 费孝爱;洪齐元 申请(专利权)人: 豪威科技(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶圆减薄 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆减薄方法,其特征在于,包括:提供晶圆;利用多道研磨工艺减薄所述晶圆,其中,在每道研磨工艺之后还对所述晶圆执行湿法刻蚀工艺。

2.如权利要求1所述的晶圆减薄方法,其特征在于,后一道研磨工艺去除的晶圆厚度小于前一道研磨工艺去除的晶圆厚度。

3.如权利要求1所述的晶圆减薄方法,其特征在于,利用两道研磨工艺减薄所述晶圆。

4.如权利要求3所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第一道研磨工艺去除的晶圆厚度为250μm~500μm;第二道研磨工艺去除的晶圆厚度为200μm~450μm。

5.如权利要求3所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在提供晶圆的工艺步骤中,所提供的晶圆包括第一层及位于所述第一层上的第二层,其中,所述第一层所掺杂的离子浓度小于所述第二层所掺杂的离子浓度,所述第一层靠近所述晶圆的正面。

6.如权利要求5所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第一道研磨工艺之后执行一道湿法刻蚀工艺,该一道湿法刻蚀工艺去除部分第二层。

7.如权利要求6所述的晶圆减薄方法,其特征在于,该一道湿法刻蚀工艺去除的晶圆厚度为25μm~50μm。

8.如权利要求5所述的晶圆减薄方法,其特征在于,第二道研磨工艺之后执行三道湿法刻蚀工艺,其中,在该三道湿法刻蚀工艺中,

第一道湿法刻蚀工艺去除部分第二层;

第二道湿法刻蚀工艺去除部分第二层及部分第一层;

第三道湿法刻蚀工艺去除部分第一层。

9.如权利要求8所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在第二道湿法刻蚀工艺中,刻蚀液对于第二层的刻蚀速率大于对于第一层的刻蚀速率。

10.如权利要求9所述的晶圆减薄方法,其特征在于,在第二道湿法刻蚀工艺中,刻蚀液对于第二层和第一层的刻蚀速率比为50~200:1。

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