[发明专利]一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极终端区域具有一层介质层（17）；所述介质层（17）具体位于P型集电区（10）的终端区域或金属集电极（3）的终端区域。

2.根据权利要求1所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述介质层（17）为连续结构或非连续结构。

3.根据权利要求1所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述介质层（17）材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或硼磷硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述介质层（17）的长度、宽度、厚度及形状等可根据设计要求而相应变化。

5.根据权利要求1所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的栅电极为平面栅、沟槽栅或具有载流子存贮层的平面栅或沟槽栅。

6.根据权利要求1所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极可以是电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。

7.根据权利要求2所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，当所述介质层（17）为非连续结构时，介质层（17）的间隔区域上方还具有第二P型集电区（18）；所述第二P型集电区（18）与P型集电区（10）具有相同或不相同的掺杂浓度、厚度和形状。

8.根据权利要求1至7任一所述的集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的半导体材料采用硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓；其电极和金属连线采用铝、铜或者其它金属或合金。