[发明专利]微透镜阵列及其制作方法有效
申请号: | 201210333616.1 | 申请日: | 2012-09-10 |
公开(公告)号: | CN103022063A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 曼弗雷德·恩格尔哈德特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透镜 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种用于制作微透镜阵列的方法,包括:
在衬底上形成第一透镜材料结构,其中,所述第一透镜材料结构包括通过凹部隔开的多个升高部分,其中,所述多个升高部分具有至少3微米的平均高度;以及
在所述第一透镜材料结构和所述凹部上沉积最小厚度为至少1微米的介电材料,以形成第二透镜材料结构,其中,所述第一和第二透镜材料结构一起形成所述微透镜阵列。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述凹部具有至少2微米的最小凹部宽度。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述最小凹部宽度与所述升高部分的平均高度的比率是至少0.75。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在衬底上形成所述第一透镜材料结构包括至少部分地蚀刻到所述第一透镜材料结构的透镜材料中。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,在衬底上形成所述第一透镜材料结构包括蚀刻到所述第一透镜材料结构的透镜材料中直到到达底层。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一透镜材料结构形成为包括具有矩形、椭圆形或圆形基底的多个升高部分。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第一透镜材料结构进一步包括:
将透镜材料设置在衬底上作为第一透镜材料结构;
在所述第一透镜材料结构上形成图案化光刻胶;以及
蚀刻到所述第一透镜材料结构的未被所述图案化光刻胶覆盖的区域中。
8.根据权利要求7所述的方法,进一步包括:
在所述蚀刻之后从所述第一透镜材料结构去除所述图案化光刻胶。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述第一透镜材料结构上沉积所述介电材料通过TEOS化学气相沉积过程实施。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一透镜材料结构和所述第二透镜材料结构包含相同的透镜材料或者具有光学上等效特性的不同的透镜材料。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一透镜材料结构和所述第二透镜材料结构中的至少一个包含二氧化硅。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述第一透镜材料结构进一步包括从所述第一透镜材料结构的至少一个侧面去除一部分所述透镜材料,使得所述第一透镜材料结构包括至少部分倾斜或锥形的轮廓。
13.一种微透镜阵列,通过以下方法产生:
在衬底上形成第一透镜材料结构,其中,所述第一透镜材料结构包括通过凹部隔开的多个升高部分,其中,所述多个升高部分具有至少3微米的平均高度;以及
在所述第一透镜材料结构和所述凹部上沉积最小厚度为至少1微米的介电材料,以形成第二透镜材料结构,
其中,所述第一和第二透镜材料结构一起形成所述微透镜阵列。
14.根据权利要求13所述的微透镜阵列,其中,所述凹部具有至少2微米的最小凹部宽度,并且其中,所述最小凹部宽度与所述升高部分的平均高度的比率是至少0.75。
15.根据权利要求14所述的微透镜阵列,其中,所述第一透镜材料结构包括具有矩形、椭圆形或圆形基底的多个升高部分。
16.根据权利要求13所述的微透镜阵列,其中,所述第一透镜材料结构和所述第二透镜材料结构包含相同的透镜材料或者具有光学上等效特性的不同的透镜材料。
17.根据权利要求13所述的微透镜阵列,其中,所述第一透镜材料结构和所述第二透镜材料结构中的至少一个包含二氧化硅。
18.一种微透镜阵列,包括:
第一透镜材料结构,位于衬底上,其中,所述第一透镜材料结构包括通过凹部隔开的多个升高部分,其中,所述多个升高部分具有至少3微米的平均高度;以及
第二透镜材料结构,位于所述第一透镜材料结构和所述凹部上,其中,所述第二透镜材料结构包含介电材料,并且其中,所述第二透镜材料结构具有至少1微米的最小厚度,其中,所述第一透镜材料结构和所述第二透镜材料结构一起形成所述微透镜阵列。
19.根据权利要求18所述的微透镜阵列,其中,所述凹部具有至少2微米的最小凹部宽度。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的