[发明专利]穿衬底通孔尖端的聚合物后显现

权利要求书

1.一种形成半导体裸片的方法，其包括：

在具有包含有源电路的顶侧以及多个穿衬底通孔TSV的衬底的底侧上形成聚合物或所述聚合物的前体的层，所述TSV具有至少包括电介质衬料的衬料以及延伸到从所述底侧突出的TSV尖端的内部金属芯，其中所述聚合物或所述前体的所述层以及所述衬料覆盖所述多个TSV尖端，且所述聚合物或所述前体的所述层位于所述底侧上的所述多个TSV尖端之间，以及

移除所述TSV尖端的顶部上的所述聚合物或所述前体以及所述衬料以使所述金属芯显现，其中在所述移除之后，所述聚合物或所述前体保留在所述底侧上所述TSV尖端之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括对所述衬底的所述底侧进行化学机械抛光CMP。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述形成包括形成所述聚合物或所述前体的平面层，且所述CMP包括使用包含CMP浆料的CMP过程，所述CMP浆料提供对所述衬料和所述内部金属芯的移除速率比对所述聚合物或所述聚合物的所述前体更快的移除速率。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述CMP包括：

第一CMP步骤，其使用包含第一CMP浆料的CMP过程，所述第一CMP浆料提供移除所述衬料和所述内部金属芯相对于移除所述聚合物或所述聚合物的所述前体的第一移除速率比，以及

第二CMP步骤，其使用包含第二CMP浆料的CMP过程，所述第二CMP浆料提供移除所述衬料和所述内部金属芯相对于移除所述聚合物或所述聚合物的所述前体的第二移除速率比，

其中所述第一移除速率比小于所述第二移除速率比。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物包括苯并环丁烯(BCB)、聚苯并噁唑(PBO)、聚对二甲苯或聚酰亚胺(PI)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬料进一步包括位于所述电介质衬料与所述内部金属芯之间的扩散势垒层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述内部金属芯包括铜。

8.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在所述CMP之后使所述前体固化。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成包括旋涂过程。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括硅，且所述多个TSV包括穿硅通孔。

11.一种穿衬底通孔TSV裸片，其包括：

衬底，其具有包含有源电路的顶侧和所述顶侧上的接合特征、底侧以及多个TSV，所述TSV具有至少包括电介质衬料的衬料以及延伸到从所述底侧向外突出的TSV尖端的内部金属芯，以及

聚合物，其在所述衬底的所述底侧上所述TSV尖端之间，但不在所述TSV尖端的内部金属芯顶部上以使所述金属芯显现，其中所述聚合物相对于所述TSV尖端的所述内部金属芯顶部大体上齐平。

12.根据权利要求11所述的TSV裸片，其中所述TSV尖端包含位于其上的金属盖，所述金属盖包括至少一个金属层，所述金属层包含不在所述内部金属芯中的金属。

13.根据权利要求12所述的TSV裸片，其中所述内部金属芯包括铜，且其中位于其上的所述金属盖包含钛、镍、钯和金中的至少一者。

14.根据权利要求11所述的TSV裸片，其中所述聚合物包括苯并环丁烯(BCB)、聚苯并噁唑(PBO)、聚对二甲苯或聚酰亚胺(PI)。

15.根据权利要求11所述的TSV裸片，其中所述衬料进一步包括位于所述电介质衬料与所述内部金属芯之间的扩散势垒层。

16.根据权利要求11所述的TSV裸片，其中所述衬底包括硅，且所述多个TSV包括穿硅通孔。