[发明专利]基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器无效
| 申请号： | 201210333832.6 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102820367A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 江灏;张文乐 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明;林伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 结构 吸收 倍增 分离 gan 雪崩 光电 探测器 | ||
1.一种基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：包括依次层叠的衬底、缓冲层、n型掺杂AlxInyGa1-x-yN层、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层、Alx2Iny2Ga1-x2-y2N缓变层以及n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层。
2.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型掺杂AlxInyGa1-x-yN层的厚度为0.1～5μm。
3.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型掺杂AlxInyGa1-x-yN层的组分中，x=0～1，y=0～1，x+y≤1。
4.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层的厚度为0.05～2μm。
5.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层的组分中，x1=0～1，y1=0～1，x1+y1≤1。
6.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述Alx2Iny2Ga1-x2-y2N缓变层的厚度为0.01～0.2μm。
7.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述Alx2Iny2Ga1-x2-y2N缓变层的组分中，x2=0～1，y2=0～1，x2+y2≤1。
8.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层的厚度为0.02～2μm。
9.根据权利要求1所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层的组分中，x3=0～1，y3=0～1，x3+y3≤1。
10.根据权利要求1至9任一项所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层的禁带宽度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层的禁带宽度。
11.根据权利要求1至9任一项所述的基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，其特征在于：所述Alx2Iny2Ga1-x2-y2N缓变层的禁带宽度在Alx1Iny1Ga1-x1-y1N吸收层和n型Alx3Iny3Ga1-x3-y3N倍增层的禁带宽度范围内从下往上连续或梯度线性变大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210333832.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防静电设备及静电报警装置
- 下一篇：火灾报警器智能底座
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
