[发明专利]一种提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法无效
| 申请号： | 201210333902.8 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832196A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 电子 可编程 器件 熔断 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，包括两个电极和连接在两个电极之间的电子可编程熔丝，所述电极和电子可编程熔丝均位于一基板上，其特征在于，在所述电子可编程熔丝两侧添加空置栅极，所述空置栅极用于改变所述电子可编程熔丝的特征尺寸。
2.如权利要求1所述的提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，其特征在于，采用多晶硅熔丝构成所述电子可编程熔丝。
3.如权利要求1所述的提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，其特征在于，采用多晶硅栅作为所述空置栅极。
4.如权利要求3所述的提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，其特征在于，采用对称排列的方法将所述多晶硅栅排列在所述电子可编程熔丝两侧。
5.如权利要求4所述的提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，其特征在于，采用成排排列的方式，在所述电子可编程熔丝的同侧且沿所述多晶硅熔丝轴向排列所述多晶硅栅。
6.如权利要求5所述的提升电子可编程熔丝器件熔断性能的方法，其特征在于，每个所述多晶硅栅垂直于所述电子可编程熔丝放置。
7.如权利要求6所述的提升电子可编程熔丝熔断性能的方法，其特征在于，采用预设的宽度定义所述电子可编程熔丝同侧的所述多晶硅栅之间的间距。
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