[发明专利]半导体器件及其制造方法、电源装置以及高频放大单元

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

化合物半导体多层结构；

覆盖所述化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜；以及

布置在所述化合物半导体多层结构之上的栅电极，所述含氟阻挡膜置于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述含氟阻挡膜为选自氟碳膜、氟化硼膜、具有含氟碳侧链的膜、具有含氟化硼侧链的膜、具有含氟化氧侧链的膜、以及具有含氟化氮侧链的膜中的任一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述化合物半导体多层结构包括栅极凹部，以及所述含氟阻挡膜至少覆盖所述化合物半导体多层结构的在所述栅极凹部的底部处露出的表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述含氟阻挡膜覆盖所述化合物半导体多层结构的位于所述栅电极侧上的整个表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

置于所述含氟阻挡膜上的绝缘膜，

其中所述栅电极置于所述绝缘膜上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述绝缘膜包含选自铝、铪、钽、锆和硅中的至少一种的氧化物、氮化物或氧氮化物。

7.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

形成化合物半导体多层结构；

在所述化合物半导体多层结构的表面之上形成含氟阻挡膜；以及

在所述化合物半导体多层结构的上方形成栅电极，使得所述含氟阻挡膜位于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中在形成所述含氟阻挡膜时，形成选自氟碳膜、氟化硼膜、具有含氟碳侧链的膜、具有含氟化硼侧链的膜、具有含氟化氧侧链的膜以及具有含氟化氮侧链的膜中的任一种。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在形成所述含氟阻挡膜之前，在所述化合物半导体多层结构中形成栅极凹部，

其中在形成所述含氟阻挡膜时，在所述化合物半导体多层结构的至少在所述栅极凹部的底部处露出的表面之上形成所述含氟阻挡膜。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在形成所述栅极凹部之后并且在形成所述含氟阻挡膜之前，至少对所述栅极凹部的所述底部进行化学溶液处理。

11.根据权利要求7所述的方法，

其中在形成所述含氟阻挡膜时，在所述化合物半导体多层结构的位于布置所述栅电极的一侧上的整个表面之上形成所述含氟阻挡膜。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在形成所述含氟阻挡膜之后，在所述含氟阻挡膜上形成绝缘膜，

其中在形成所述栅电极时，在所述绝缘膜上形成所述栅电极。

13.根据权利要求12所述的方法，

其中在形成所述绝缘膜时，所述绝缘膜形成为包含选自铝、铪、钽、锆和硅中的至少一种的氧化物、氮化物或氧氮化物。

14.一种电源系统，包括：

变压器；

高压电路；以及

低压电路，

其中所述变压器置于所述高压电路与所述低压电路之间，所述高压电路包括晶体管，所述晶体管包括化合物半导体多层结构、覆盖所述化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及置于所述化合物半导体多层结构之上的栅电极，所述含氟阻挡膜置于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。

15.一种高频放大单元，包括：

放大输入信号的放大器，

其中所述放大器包括晶体管，所述晶体管包括化合物半导体多层结构、覆盖所述化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜、以及置于所述化合物半导体多层结构之上的栅电极，所述含氟阻挡膜置于所述栅极与所述化合物半导体多层结构之间。