[发明专利]半导体封装结构焊帽凸块与其制作方法

权利要求书

1.一在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，该方法包含：

提供一半导体基板，该基板具有间隔设置于该基板上表面的复数个焊垫，以及一沉积在该些焊垫上方的钝化层，其中有复数个焊垫开孔形成于该钝化层中以使该些焊垫至少一部份露出；

形成复数个导电柱于该些焊垫开孔，使得该些导电柱可透过该些焊垫开孔与焊垫电连接；

沉积一图案化层以覆盖该钝化层与该些导电柱，其中，该图案化层包含复数个位于导电柱顶端且具有一预定尺寸的导电柱开孔；

置放一焊球于每一导电柱开孔，其中，该焊球的尺寸小于该导电柱开孔的特定尺寸；

移除该图案化层使该钝化层、该些导电柱、与在该些导电柱上的焊球露出；以及

对该些焊球进行回焊以形成一半球型的焊帽于该导电柱上，并进而形成该焊帽凸块。

2.根据权利要求1所述在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，其中该导电柱为一球下冶金层结构。

3.根据权利要求1所述在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，其中所述形成复数个导电柱于该些焊垫开孔的步骤进一步包含形成一冶金种子层于该些焊垫开孔并以电镀形成该些导电柱于该冶金种子层上。

4.根据权利要求3所述在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，其中该导电柱的材料可为铜、金或其合金。

5.根据权利要求1所述在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，其中该图案化层为一钢板或一光阻层。

6.根据权利要求1所述在一半导体元件形成焊帽凸块的方法，其中该导电柱为一球下冶金层结构且该球下冶金层结构的高度小于或等于60μm。

7.一半导体封装结构包含:

一半导体基板包含复数个分开置放于该基板上表面的复数个焊垫以及一沉积在该些焊垫上方的钝化层，其中有复数个焊垫开孔形成于该钝化层中以使该些焊垫至少一部份露出；

复数个焊帽凸块，包含

(a)复数个导电柱于钝化层中的该些焊垫开孔中，该导电柱透过该些焊垫开孔与该焊垫电连接，其中形成在一图案化层的复数个具有特定尺寸的导电柱开孔位于该些导电柱上方，且有一小于该导电柱开孔的特定尺寸的焊球置设于导电柱开孔中；以及

(b)一焊帽位于每一该导电柱上表面，其中以一回焊制程将该焊球形成该焊帽；以及

一承载基板包含复数个接线焊垫电连接于位在该半导体基板的该焊帽凸块的该些焊帽。

8.根据权利要求7所述的该半导体封装结构进一步包含一用来填充位于该承载基板及该半导体基板间空隙的封胶层。

9.根据权利要求7所述的该半导体封装结构，其中该图案化层于焊球置放后加以移除。

10.根据权利要求7所述的该半导体封装结构进一步包含一沉积于该焊垫开孔的金属化种子层，且该导电柱是藉由电镀形成于该金属化种子层。

11.根据权利要求7所述的该半导体封装结构，其中该图案化层为一钢板或一光阻层。

12.根据权利要求7所述的该半导体封装结构，其中该导电柱为一球下冶金层结构且该球下冶金层结构的高度小于或等于60μm。

13.根据权利要求7所述的该半导体封装结构，其中焊帽的底部宽度对应于该导电柱的上表面大小。

14.一覆晶封装结构制造方法，该制造方法包含:

提供一半导体基板，该基板具有分开置放且位于该基板上表面的复数个焊垫以及一沉积在该些焊垫上方的钝化层，其中有复数个焊垫开孔形成于该钝化层中以使该些焊垫至少一部份露出；

形成复数个导电球下冶金层结构于位于该钝化层中的该些焊垫开孔，使其可透过该些焊垫开孔与该些焊垫电连接；

沉积一图案化层以覆盖该钝化层与该些导电球下冶金层结构，其中，该图案化层包含复数个位于该些导电球下冶金层结构上方且具有一预定尺寸的球下冶金层开孔；

置放一焊球于每一球下冶金层开孔，其中，该焊球的尺寸小于该球下冶金层开孔；

移除该图案化层使该钝化层、该些导电球下冶金层结构、与在该些导电球下冶金层结构上的焊球露出；

对该些焊球进行回焊以形成一半球型的焊帽于每一个导电球下冶金层结构上，并进而形成该焊帽；以及

提供一承载基板包含复数个接线焊垫，其中该接线焊垫是用来接合该导电球下冶金层结构的焊帽并电连接该承载基板与该半导体基板。