[发明专利]用于功率模块的散热系统无效

专利信息
申请号: 201210335065.2 申请日: 2012-09-11
公开(公告)号: CN103515337A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 郭煐熏;金钟满;孙莹豪 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/46
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 施娥娟;董彬
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 功率 模块 散热 系统
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求申请日为2012年6月22日,名称为“Heat Dissipation System for Power Module(用于功率模块的散热系统)”的韩国专利申请No.10-2012-0067386的优先权,该申请的全部内容在此作为参考结合于本申请。

技术领域

本发明涉及一种用于功率模块的散热系统。

背景技术

功率半导体装置适用于整个家电行业,且它的应用范围处于扩大的趋势中。因为功率半导体装置降低了功率消耗和能量,所以在对环保问题的响应中就显得尤其重要。

目前,在用于功率模块的散热系统中,例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)等产生大量热量的功率装置通过焊料、导热材料(TIM)、导热油脂等被结合到散热基板上。

因此,从功率装置产生的热量被连接在功率装置底面上的散热系统驱散。

上述散热系统采用风冷法或者水冷法,其中采用了如专利文献1中所示的铝制散热板、散热器或热交换管。

【相关技术文献】

【专利文献】

(专利文献1)US 2011-0017496A

发明内容

本发明致力于提供一种用于功率模块的散热系统,该散热系统通过包括多条流入线路并允许冷却介质以不同的流量流经所述多条流入线路,以能够提高散热效率。

根据本发明的优选实施方式,提供了一种用于功率模块的散热系统,该散热系统包括:第一散热板和第二散热板,该第一散热板和第二散热板彼此间隔开且彼此相对,以形成冷却介质流动通道;第一流入线路和第二流入线路,该第一流入线路和第二流入线路延伸至第一散热板和第二散热板之间的冷却介质流动通道从而以不同的流速或流量将在第一流入线路和第二流入线路中流动的冷却介质转移至冷却介质流动通道;以及第一入口和第二入口,该第一入口和第二入口分别与第一流入线路和第二流入线路连接,以允许冷却介质在第一入口和第二入口中流动。

第一流入线路和第二流入线路可以延伸至第一散热板和第二散热板的一侧。

这里,当第一散热板和第二散热板与第一流入线路和第二流入线路的数量为多个时,该多个第一散热板和第二散热板与第一流入线路和第二流入线路可以以堆叠的方式彼此结合。

多条第一流入线路和多条第二流入线路可以全部分别与第一入口和第二入口连接,且第一流入线路和第二流入线路彼此分隔。

散热系统可以还包括多个散热翅片,该散热翅片形成在第一散热板和第二散热板的冷却介质流动通道的成形面上。

散热系统可以还包括分区件,该分区件形成在第一散热板和第二散热板之间的冷却介质流动通道成形面上的多个散热翅片之间。

散热系统可以还包括控制器,该控制器控制流入第一入口和第二入口内的冷却介质的流速或流量。

控制器可以控制流入第一入口和第二入口内的冷却介质的流速或流量彼此不同。

散热系统可以还包括绝缘层,该绝缘层形成在第一散热板和第二散热板上。

散热系统可以还包括半导体装置,该半导体装置形成在绝缘层上。

散热系统可以还包括出口,该出口形成在第一散热板和第二散热板的另一侧上并且延伸至冷却介质流动通道以排出冷却介质。

根据本发明的另一种优选实施方式,提供了一种用于功率模块的散热系统,该散热系统包括多条流入线路且以不同的流速或流量将冷却介质供应至多条流入线路。

散热系统可以还包括:第一散热板和第二散热板,该第一散热板和第二散热板彼此间隔开且彼此相对,以形成冷却介质流动通道;第一流入线路和第二流入线路,该第一流入线路和第二流入线路延伸至第一散热板和第二散热板的冷却介质流动通道,从而以不同的流量将在第一流入线路和第二流入线路中流动的冷却介质转移至冷却介质流动通道;以及第一入口和第二入口,该第一入口和第二入口分别与第一流入线路和第二流入线路连接,以允许冷却介质在第一入口和第二入口中流动。

散热系统可以还包括多个散热翅片,该散热翅片形成在第一散热板和第二散热板的冷却介质流动通道的成形面上。

散热系统可以还包括分区件,该分区件形成在第一散热板和第二散热板之间的冷却介质流动通道成形面上的多个散热翅片之间。

散热系统可以还包括控制器,该控制器控制流入第一入口和第二入口内的冷却介质的流速或流量。

散热系统可以还包括绝缘层,该绝缘层形成在第一散热板和第二散热板上。

散热系统可以还包括半导体装置,该半导体装置形成在绝缘层上。

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